|
| |
|
Главная Журналы сохраняется. Плавная зависимость Cg(VGs) получается в случае использования точного выражения для заряда инверсионного слоя [227]. Влияние степени легирования подложки на емкость затвора рассмотрено в [218], С уменьшением \N\ величина Cg,. соот-  2 « еатвора (а) и подложки (б) в активной области МОП-ПТ ветствующая режиму насыщения, падает за счет возрастания толщины обедненной области. При Л/ - О (собственный полу- проводник) в области насыщения Cg/C*o=2/3; этот результат нетрудно получить из упрощенной теории МОП-ПТ, рассмотренной в гл. 1. Зависимость полной емкости подложки от потенциала затвора показана на рис. 80, б. При Vgs<Vt кривая совпадает с изображенной на рис. 80, а, однако в области насыщения наблюдается заметное уменьшение емкости с ростом Vgs за счет увеличения потенциала стокового конца канала. При достижении ненасыщенного режима работы падение напряжения вдоль канала фиксируется на уровне Vds и емкость Сь оказывается практически не зависящей от Vgs- На рис. 81 представлены расчетные зависимости емкостных компонент, из которых складываются полные емкости Cg и Сь, от напряжения на затворе, а на рис. 82 - от потенциала под-  Рис. 82. Влияние потенциала подложки на компоненты емкостей затвора и подложки для режима насыщения Ла=10" см-=; л;о=2000 А; Vgs=0; Vss- - Фмs = 3,4 В 3 = С. 4 -с ложки, при построении зависимостей рис. 81 кривые плавно «сшивались» в области Vg~ Vt, а эффект укорочения канала не учитывался. Зависимости рис. 82 приведены для области Vbs<0, так как положительному напряжению Vbs соответствует прямое смещение перехода подложка-исток. 8.4. Полная модель прибора Рассмотрим на примере транзистора, схематически изображенного на рис. 16, д, паразитные элементы, которые следует учитывать при составлении полной эквивалентной схемы прИ бора. Перекрытие затвор-исток о Затвор Исток Вывод истока Истоковыи Перекрытие затвор-сток  Os2 переход П/г, Стокоеыи. Вывод р-п- Выводе/пока затвора пере-J-0,11 фйг/ □-о Сток о Подложка Offse -г- - - .fill Активкол область -rOct=Cd7-*-Cdz -- . - J Рис. 83. Паразитные емкостные компоненты прибора рис. 16, д (а) и полная эквивалентная схема ПТ для случая подложки, соединенной с истоком (б) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 [ 52 ] 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |