Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 [ 99 ]

420 Легирование полупроводников ионным внедрением. Под ред. В. С. Вавилова, В. М. Гусева. М., «Мир», 1971. 531 с. с ил.

421. Bower R. М. MOS Field-Effect Transistors Formed by Gate Masked Ion Implantation. IEEE Trans. Electron Devices, 1968, ED-15, № 10, p. 757- 761 with ill.

422. Macdougall J., Manchester K., Palmer R. B. Ion Implantation Offers a Bagful of Benefits for MOS. Electronics, 1970, 43,. № 13, p. 86-90 with ill.

423. Пека Г. П. Физика поверхности полупроводников. Киев. Изд-во Киевского университета, 1967. 190 с. с ил.

424. Боонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния. М., «Мир», 1970. 175 с. с ил.

425. Ржанов А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., «Наука». 1971, 480 с. с ил.

426. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчихш ядерных излучений. М., «Мир», 1966. 360 с. с ил.

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 [ 99 ]