Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99

Vgsi


Рис. 85. Приближенная эквивалентная схема МОП-ПТ при слабом йлиянии

подложки

Элемент

Ненасыщенный режим

Режим насыщения

Обозначения

-bjb (1 - Г)

2 I,

1-1

6,/*3go/(l - 1=)

s° Vas t)

w« = (1-=)H*-ii-

go (1 - 1) (1 + /to-io)

I. (1 + /ит)

6s = - (1 +22-3E) 3

gsfgsi=gdfgdi

&3 = -(-2g + Sg-i-E)

0<g<lj



уравнение для напряжения находится подстановкой (8-25) и (8-27) в (8-23):

(8-29)

т. е. напряжение сигнала получается дифференцированием выражения для тока. . , -

0,6 . 0,6 0.</ 0,2

1 1 1

((Tsi/ffc

, 1 Л

0,2 0, 06 0,6 1,0


IdIid

0,2 0,t 0,6 0,8 1,0

Рис. 86. Зависимость элементов эквивалентной схемы рис. 85 от тока стока: а - проводимостей и крутизны; б - емкостей и постоянной времени То

Последовательность вычислений г/-параметров активной области-.остается такой же, как и для ПТУП. Решение (8-28) можно представить в виде ряда [256]:

-- 1 = й"[Л1/„з(т)+Л,7,/з(т)], •

где Ai, Лг - константы, определяемые из граничных условий,

Ji/3, функции Бесселя порядка 1/3 и -1/3. Составляя

уравнения для Ai и Лг и принимая во внимание (8-29), можно получить выражения для г/-параметров в виде степенных рядов по (О и построить приближенную эквивалентную схему прибора [143, 253] (рис. 85). Величина g, характеризующая условия работы по постоянному току, равна нулю в области отсечки и единице - в режиме насыщения. Для данного Vq отношение



I в/Id, где to - ТОК CTOica при насыщений, выражается интегрированием (8-20) аналогично тому, как это было в гл. 1. Подобные вычисления позволяют определить через IdIId, а сопротивления и постоянную времени ген тока То через IdIId и Vgs- Результаты таких расчетов жены на рис. 86.

через I сделано емкости ератора изобра-

Зотеор. Истой


.16,75 JP\ 16,75



Рис. 87. Эквивалентная схема ("а) и конструкции четырех типов МОП-ПТ (б) [259]. Частотная зависимость крутизны выражается соотношением g*m, (ш) = -. =g*m/(l-f-/coT) (размеры -в мкм)...........

Полная эквивалентная схема прибора получается, если объединить элементы активной области с паразитными,элементаоии. Хотя подобная схема и будет достаточно точно отражать физические принципы работы транзистора и влияние конструктивных особенностей, она оказывается слишком сложной для практических целей. Упрощенная эквивалентная схема реального прибора (рис. 87, а) рассмотрена-в [259]. В этой же работе





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99