Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 [ 31 ] 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99

Если ввести обозначения: . -

. У11 = У1и+Ут\

У21= -Ут-

Уо1 = У221-\-Ут< .

У mi У211-У121, - (5-50)

то эквивалентная схема прибора изобразится в виде, представленном на рис. 47.

Vffti

VmiVgsi

Рис. 47. Общая форма эквивалентной схемы активной области

Из (5-45), (5-46) и (5-50) следует, что проводимости уи и y2i являются чисто емкостными:

4ZesL 1 - 3B2 + 2B3 - (bs/2) (1 - 46» -f 3B*)

Cgdi -

I---

SZesLB 2

[1-B2 -(2V3)(I-B3)]2 4

В + (B3/2) - (Sbs/4)

B-f-

[I B2 (2b/3)(l B3)]2

где B = bdlbs. Эти соотношения впервые были получены в [135] более прямым методом, рассмотренным в гл. 4.

Вычисления ymi и yoi с помощью (5-46) - (5-48) и (5-50) дают

I -Ь /ЮТ1

. S(Was)-g(Waa) 5.5

I-f/{u[Ti + T2-BT4/(I-B)1

- S (Wcd) (5.52)

1 + /COTi



Уравнение (5-51) можно переписать в более компактной форме

- l-b/COTo

где крутизна gm=g(WGs) -giWoo), а to=ti-fT2 -{т4В/(1 -В)]. Из (5-52) видно, что проводимость г/ог образуется последова-


<5-;

rusi

- Off-si

yLo-trasi

Рис. 48. Эквивалентные схемы активной области для ненасыщенного режима в первом (а) и втором (б) приближениях. При насыщении rdsi = °o, Lo=°°, Cgdi=0, Rgdi = °° (без учета эффекта укорочения канала)

тельно включенными сопротивлением rdsi=Ug(gd) и индуктивностью Lo=tirdsi (рис. 48,а). Наличие индуктивности в эквивалентной схеме цепи сток - исток впервые было установлено авторами работ {141, 143].

5.2.3. Второе приближение. Для учета влияния сопротивления канала необходимо включить в рассмотрение члены более



высокого порядка относительно ю. Можно показать, что введение в (5-41) и (5-43) членов с приводит к соотношениям:

1 + /(oti

1 + /coti

выражения для Т5, te даны в приложении 4. Подстановка (5-53) и (5-54) в (5-50) дает:

/0) (тз - В*т4) [я (ttcs) -g (ttCD)]

(5-53) (5-54)

1 -i- /0) [tl - тб - те + (тзте - В *T4T6)/(tj - т4)]

1+/«(Т1-тб)

(5-55) (5-56)

Уравнения (5-55) и (5-56) имеют вид: jwC/{1+jciiRC), т. е. , представляют собой проводимость последовательной /?С-цепи. Сравнением легко установить, что резистивные компоненты

Rgsi -

tl - тб - те + (тзтб - В*т4т5)/(тз - т4)

(тз - В*т4) [g (Wcs) - g (Wcd)]

Rgdl - -

tl -те

(4g{WcD)

a емкости (Cgsi и Cgdi) определяются теми же формулами, что и в предыдущем случае. Соответствующая эквивалентная схема приведена на рис. 48, б. *

В режиме насыщения выражения для различных элементов цепи существенно упрощаются. Полагая 6d=0 и используя формулы для величин т, получаем:

4ZesL 1 - bjl

За [l-(2/3)6sP

Re.si -

bs +

Cgdi-0;

bi -

bgiWcs)

Rgdi-; r

3 12

dsi = °° K-

g(Wcs) . 5

--b:

/ 2 \3





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 [ 31 ] 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99