|
| |
|
Главная Журналы где bs и g{Wcs) определяются из (5-39) и (5-49), а индекс «штрих» означает режим насыщения. Зависимости параметров эквивалентной схемы от условий работы по постоянному току, построенные на основе полученных соотношений, показаны на . Ч- 10,0 Рис. 49. Зависимость параметров эквивалентной схемы от режима работы >" по постоянному току [144] ZEjL Тр.с  О 0,2 0,fi 0,3 Wgs/Wo рис. 49. Следует отметить, что постоянная времени входа CgsiRgst всегда меньше величины to, определяющей частотную зависимость крутизны gm((o). Согласно [142], в режиме насыщения 5.3. Полная эквивалентная схема прибора Эквивалентная схема активной области, приведенная на рис. 48, б, является, по-видимому, достаточно точной вплоть до предельных частот. В случае реальных приборов, в которых Внёй/те выводы с.9Г   Корпус Нижний затвор соединен с верхним внутри прибора Vysi Cffse-L Г" -r- Dp-si Активная область Паразитная область Рис. 50. a - схематическое изображение планарного ПТУП, показывающее происхождение различных элементов эквивалентной схемы; б -полная эквивалентная схема прибора емкости активной области сведены к минимуму, работа на высоких частотах определяется, в основном, паразитными элементами, что должно быть учтено в полной модели. На рис. 50 схематически изображена планарная конструкция ПТУП с п-каналом и соответствующая ей полная эквивалентная схема, учитывающая наличие паразитных элементов. Величину Rs и Rd складываются из сопротивления контактов и объемного сопротивления участков канала, не лежащих непО" средственно под верхним затвором. Конденсаторы Cgse и Cgde представляют собой барьерные емкости р-п-переходов на краях канала. Поскольку основной вклад в величины Cgse и Cgde Дает ff-s Рис. 51. Упрощенная полная эквивалентная схема ПТУП нижний затвор, хорошие высокочастотные свойства могут быть получены проведением изолирующей диффузии в целях уменьшения его площади до минимально возможной. При работе на высоких частотах необходимо учитывать также индуктивности вводов (Ls, Lg, Ld) и межэлектродные емкости (Си,. Cis, С). Схема рис. 50, б является весьма хорошим приближением вплоть до частот -1000 мГц. На более низких частотах (<200 мГц) можно пренебречь индуктивностями вводов и использовать упрощенную эквивалентную схему рис. 51, где Rgs* = Rs + Rgsi, Rgd* = Rd + Rgdi. Каждый из конденсаторов Cgse и Cgde (рис. 50) разбит иа две части, одна из которых включается в Cgsi и Cgdi, образуя Cgs* и Cgd*, а другая суммируется с емкостями на корпус, давая Cgs** и Cgd**. Результирующая крутизна gm*(w) также зависит от паразитных сопротивлений Rs и Rd *: а* (С0) = - /(ОТ Измеренные величины Rs для ряда промышленных приборов лежат в пределах 45-130 Ом [147]. if . 105 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 [ 32 ] 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |