|
| |
|
Главная Журналы 1 + BmRs + (Rd + RsVrasi 1 + SmRs Дальнейшее упрощение достигается, если Cgs** и Cgd** малы или могут быть включены в Cgs* и Cgd*. В этом случае эквивалентная схема соответствует модели активной области (рис. 48, б).  Част от а Рнс. 52. Экспериментальные частотные зависимости -параметров схемы с общим истоком для среднечастотного ПТУП с р-каналом, изготовленного методом двойной диффузии, и эквивалентная схема, построенная на основании этих данных. Частотная зависимость крутизны выражается соотношением * , , 1,9.10-3 -">=1./0,.7.10-10 На рис. 52 и 53 показаны частотные зависимости «/-параметров, полученные экспериментально для двух типов транзисторов в режиме насыщения . Величины элементов эквивалентных схем, приведенных в верхних частях рисунков, определены следующим образом. На низких частотах, когда (i)Cgs*Rgs*, ix)Cgd*Rgd*<l, проводимость обратной связи, У12 = у12г + ]Уш - Kч-ild. т. е. низкочастотные участки зависимостей г/ш и «/i2,- в логарифмическом масштабе должны представлять собой прямые линии с наклоном, равным соответственно 1 и 2, что и наблюдается на практике. Тогда, при. данной частоте по измеренной величине t/izi определяется Cgd*, а затем, из «/i2r - Rgd*. Входная проводимость на низкой частоте Уи=Упг+1Уш Rls+[cidY Kd]+Fgs+q.). что дает возможность по экспериментально найденным значениям активной и реактивной составляющих г/и определить величины Cgs*-i-Cgd* и Rgs*(Cgs*)+Rgd*(Cgd*) и с учетом полученных выше Cgd* и Rgd* найти Rgs* и Cgs*. Величины tds и gm* определяются непосредственно по низкочастотным пределам параметров у22г и г/21г. Наконец, если частотная зависимость gm*((o) имеет вид gm*/(1 +/сот), то SlM = у2-у12\= V1 -1- соЧ» и постоянная времени т определяется из экспериментально полученной зависимости gm*((u)l. Заметные отличия величины yi от -г/ш в случае высокочастотного транзистора (рис. 53) обусловлены присутствием паразитной емкости сток - исток (0,3 пФ). Кроме того, обращает на себя внимание положительная кривизна зависимостей (рис. 53) при частотах >300 мГц, отсутствовавшая на кривых рис. 52. Это, по-видимому, означает, что частотный диапазон первого транзистора ограничен индуктивностью вводов и паразитными сопротивлениями истока и стока, в то время как для высокочастотного прибора лимитирующими факторами являются емкостные эффекты. Для обоих рассмотренных приборов предсказанные теорией значения «/-параметров находятся в хорошем согласии с результатами экспериментов до частот -200 МГц. На рнс. 52, 53 и далее в тексте этой главы индекс i означает реактивную компоненту, г - активную. (Прим. пер.) -1-•-1--111 -т-гт- -л--1-г-т-г-гт  Ч астота МГц и-I-1 I Рис. 53. Экспериментально определенные /-параметры высокочастотного п-ка-пальиого ПТУП в схеме с общим истоком и соответствующая эквивалентная схема; g*,„Cco)=5- 10-V(l+/to- 10-">) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 [ 33 ] 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 |