Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99

Часть 3

ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Глава 10

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ

С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Используемые в книге условные обозначения полевых транзисторов различных типов приведены на рис. 101; на этом же рисунке обозначены полярности напряжений на электродах приборов для нормального режима работы. Стрелки на выводах затворов "ПТУП и подложки МОП-ПТ указывают пропускное направление соответствующих р-п-переходов; вывод затвора смещен ближе к истоковому выводу. Изображение канала МОП-ПТ с обогащением прерывистой линией символизирует отсутствие проводимости между стоком и истоком при нулевом напряжении затвор - исток.

10.1. Малосигнальные параметры основных схем включения ПТ*

Поскольку в общем случае полевой транзистор является четырехэлект-родным прибором, то каждая из типовых схем включения ОИ, 03, ОС имеет несколько различающиеся параметры в зависимости от точки подключения четвертого электрода. В данном ниже анализе МОП-транзистор рассмотрен в двух вариантах включения: 1) подложка закорочена с истоком; 2) подложка по переменному току соединена с общим электродом. Приведенные результаты в равной степени применимы и к трехэлектродному ПТУП; в этом случае следует попросту пренебречь элементами эквивалентной схемы, связанными с подложкой.

Рассматривается работа транзистора на достаточно низких частотах (значительно меньших граничной), так что эквивалентная схема прибора представляется в виде, изображенном на рис. 79,6.

10.1.1. Схема с общим истоком. Три варианта схемы ОИ представлены на рис. 102. Нетрудно показать, что коэффициент усиления по напряжению для схемы рис. 102, а . ,

л„(«) = -= -fci. " (10-1)

где . - • .

f/L = (l ?L)+gds + /wC6,,.

. На низкой частоте ((о->0)

ЛЛО)= -g>"L , . (10-2)

максимальное усиление при этом равно -gm/gds(R-l-oo).

* См. также {306-310,54]. .



Для схем с отрицательной обратной" связью по току, увеличивающей стабильность коэффициента усиления (рис. 102, б),

- gmRL

Avi (0)

1 + Rs (gm + gmb) + gds (Rl + Rs)

(10-3)

в большинстве практических случаев Rb, Rs-€.l/gds, так что последним членом в знаменателе можно пренебречь.

© 1

©

Б) о-

© -OS

©

Рис. 101. Условные обозначения транзисторов, принятые в книге, и полярности рабочих напряжений относительно

истока 1-4 - приборы с каналом п-типа; S-S - р-канальные приборы; /, 4, 5 -транзисторы с управляющим р-п-переходом; 2, 3, 6, 7, 8 - -МОП-ПТ; 4, 8 - приборы с двумя затворами; s - исток; в - затвор; d - сток; Ь - подложка; изображение вывода затвора смещено к истоку

5>

© °-

©

©

®

©

© -о&

Если подложка соедине11а с истоком (рис. 102, в),

gmRL

Аш(Щ

+gmRs

Как видно из (10-3) и (10-4), при увеличении Rs Л»-новится не зависящим от параметров транзистора.

(10-4)

-Rl/Rs, т. е. ста-

Возвращаясь к схеме рис. 102, а, входную проводимость можно записать в виде:

Yin = l4i[Cgs + Cgb+Cgd(l-Ar>{a)].



ffds

CffS+Cg-J)

9-mVffs

Сток

Затвор

=:Vdd

р-повложка

--0-

Vgrs

ffas

Рис. 102. Схемы с общим истоком





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99