Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 [ 45 ] 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99


-3 . -г -1

J I \ J-

Рис 69. Крутизна передаточной характеристики по затвору п-канального МОП-ПТ рис. 67, а в зависимости от потенциалов затвора (а) и стока (б)

при Ьв=0 [220]



ной подвижности носителей jx* от электрического поля, которое, увеличиваясь с ростом \Vgs\, приводит к уменьшению и соответствующему падению крутизны gm [230]. Другой воз-

1,0 0,8 0,6

0,2-

-4 -S -2 -1

Vds=+4B


+ 0,5

1 2 В

1,0 0,8 0,6

±

Vos=-rB

4 в

Рис. 70. Крутизна характеристики по подложке транзистора (рис. 67, а) в функции потенциалов затвора (с) и стока (б) при Vbs=Q

можной причиной является влияние паразитных сопротивлений истока {Rs) и стока {Ra) - По мере увеличения Vgs\ за счет возрастания /jD увеличивается падение напряжения на этих сопротивлениях, так что действительное напряжение между стоком и истоком уменьшается, вызывая уменьшение g,„. Можно пока-



100D 600 600

ffmb

Vj,s=-5,0B

у"

---s,o -

- Ill III

IN I ft

* IJ

III

/11 - -- - ~- -,

------/,0 -

Ш ----

---1,0

-l/r

Iff ,.

-------0,5 .

~------0,5

f \ 1 1 1 1 I Kj.,

4 -6 -B -ID -12

-14 -16 в

пкСм 1600 -

1400-

1200-

1000-

600 -

600 -

400 -

200-

mkCm

-6,0

-7,0

-6,0

-6,0.

/ds

0 -1 -2 -J -4 -s -6 -7 -e -3 -10 в





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 [ 45 ] 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99