Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 [ 47 ]

в источниках (вторичного электропитания для преобразования температуры в напряжение широко используется эффект Зеебека. В простейшем случае используется объемная составляющая тер-моэдс полупроводниковых образцов, которая обусловлена генерацией и диффузионным переносом свободных носителей заряда от нагретого конца образца Гг к холодному (рис. 6.6.2). Например, для кремния л-типа с Лд=10 см- удельная объемная тер-моэдс avT = f/v/5r=l мВ/°С.

Резистор / " (источник тепло}

. Мромниедый термозлемеит

- В> +

Рис. 6.6.2. Источникиконтактной (а), объемной (б) термо-ЭДС и упрощенная

конструкции термобатареи:

/ 2 - проводниковые или полупроводниковые материалы с различными электрофизическими

свойствами

Для получения приемлемых для практики напряжений С/ип~ ~1...3 В термоэлементы соединяют последовательно (рис. 6.6.2,6). /

Фильтраци5 переменной составляющей мощности источника тепла осуществляется соответствующим выбором тепловой постоянной времен1 Тт.

Список литературы

1. Ефимов и. е., Горбунов Ю. М., Козырь И. Я. Микроэлектроника Физические и техяологические основы, надежность: Учеб. пособие для вузов.- м.: Выапая школа, 1977. - 416 с.

2. Ефимов И. е., Горбунов Ю. М., Козырь И. Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления: Учеб. пособие для вузов - м.: Высшая школа, 1978 г.- 312 с.

3. Фомин А. В., Борисов В. Ф., Чермошенский В. В. Допуски в радниоэлект-ронной аппаратуре. - м.: Сов. радио, 1973 г.- 128 с. - (Б-ка раднокои-структора).

4. Гимпельсон В. Д., Радионов Ю. А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники.-М.: Машиностроение 1976

328 с. v ,

5. Роткоп Л. Л., Спокойный Ю. Е. Обеспечение тепловых режимов при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. - М.: Сов. радио, 1976.- 232 с.

6. Физические основы надежности интегральных схем/В. Ф. Сыноров, Р. П. Пн-ьоварова, Б. К. Петров и др. Под ред. Ю. Г. Миллера.- М.: Сов. радио, 1976.-320 с. км..

7. Селютин В. А. Машинное конструирование электронных устройств - М.: Сов. радио, 1977. -384 с

8. Валнез К. А., Орликовский А. А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. - М.: Сов. радио, 1979. - 296 с.

9. Валиев К. Д., Кармазинский А. Н., Королев М. А. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах.-М.: Сов. радио, 1971.-384 с.

10. Кремниевые планарные транзи-сторы/В. Г. Колесников. В. И. Ниикнщнн, В. И. Сыноров и др. Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. радио, 1973.- 336 с.

И. Ермолаев Ю. П., Пономарев М. Ф., Крюков Ю. Г. Конструкции и технология микросхем: Учебник для вузов/Под ред. Ю. П. Ермолаева - М • Сов радио, 1980. -256 с. "



Оглавление

Стр.

Предисловие...........•...... . з

Введение ................... 5

Глава 1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем .

§ 1,1. Резисторы . ,............... 1!

§ 1,2. Конденсаторы ............... SS

§ 1.3. ЛС-структуры с распределенными параметрами........ 45

§ 1.4. Пленочные катушки индуктивности........... 50

§ 1.5. Конструкции и свойства бескорпусных полупроводниковых приборов ... 51

Глава 2. Конструкции гибридных интегральных микросхем и микросборок 56

§ 2.1. Функциональный н интегрально-групповой принципы компоновки микросхем

с различной степенью интеграции ........... 56

§ 2.2. Подложки................. 57

§ 2.3. Пленочный монтаж............... 59

§ 2.4. Корпуса................. 67

§ 2.5. Типовые конструкции ГИС и МСБ........... 72

§ 2.6. Критерии оценки качества конструкции ИС-......... 7t

Глава 3. Основы конструирования гибридных и больших гибридных интегральных микросхем . ........ 78

§ 3.1. Обеспечение функциональной точности ГИС......... 78

I 3.2. Тепловые режимы гибридных ИС............ 86

I 3,3. Паразитные связи и помехи в ИС.....-...... 97

§ 3.4, Обеспечение механической прочности конструкции ИС...... 108

§ 3.5. Надежность гибридных ИС.............. 109

§ 3,6. Оценка технико-экономических показателей гибридных ИС..... 11,-; с

Методика разработки конструкции ИС Конструкторская документация . ,. И! j-

Глава 4. Активные и пассивные элементы полупроводниковых ИС . I27j

§ 4,1. Методы изоляции элементов ИС............ 127 j

. § 4.2. Физические процессы в диодах и биполярных транзисторах..... 1311.

§ 4.3. Конструкции диодов полупроводниковых ИС . . ~....... 158

§ 4.4. Конструкции биполярных транзисторов ИС......... 166,

§ 4.5. Физические процессы в МДП-транзисторах......... 17Т.

§ 4.6, Вольт-амперные характеристики и статические параметры МДП-транзисторов IS;

§ 4.7. Основные конструктивно-технологические разновидности МОП-транзисторов 18Е!

§ 4.8. Резисторы.................. 19.!?

§ 4.9. Конденсаторы................ 202

§ 4,10. Коммутация элементов микросхем. Конструкции выводов ..... 207

Глава 5. Основы конструирования полупроводниковых ИС и БИС . 214

§ 5.1. Большие интегральные схемы............ 214

§ 5.2. Логические элементы ИС и БИС........... 219

§ 5.3. Микросхемы с функционально-интегрированными элементами . . . . 226

§ 5.4. Полупроводниковые БИС памяти........... 234;

§ 5.5. Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИС .... 24 д

§ 5.6. Корпуса. Тепловой режим............. 24

§ 5.7. Разработка конструкций полупроводниковых интегральных микросхем . . 25:р .

Глава 6. Функциональные микроэлектрониые элементы и устройства 26(

§ 6.1. Общие зЕмечания............... 26f

§ 6.2. Устройства на основе цилиндрических магнитных доменов..... 26

§ 6.3. Приборы с зарядовой связью . ........... 274

§ 6.4. Акустоэлектронные устройства............. Z7f

§ 6.5. Оптоэлектронные устройства............. 281

§ 6.6. Электротепловые функциональные элементы......... 28;

Список литературы................ 28





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 [ 47 ]