Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 [ 94 ] 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Режимы измерения

ElaiiMEilCiBaitHe

Обозначение

, x

111 о л

Е x

<

x ч S п Е Е

о е к 1-

а: п

Емкость ?мнггерйОГО перехода, пФ

-1,20

t,45

Емкость коллектор1Юто перехода.

0,82

1,00

Постоянная в-ремеяи цепи обратной связи иа высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры. Гарайтируются при температуре окружающей среды 7е=-40...+85С,

/к шаг - постоянный ТОК КОЛ

лектора, мА......

/к, и mai - импульсный ТОК КОЛ

лектора, мЛ......

ЭБтах постоянное напряже

ние эмиттер - база, В КБ max - постоянное напряже пие коллектор - база, В .

КЭ/? ная - постоянное напряже ние коллектор - эмиттер li 10 кОм), Б . . . .

10 20 4 40

тах - постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт

прн 7-0=-40...+6С ... 120 При Тс = -1-85° С ..... 88

Тп mai - температура перехода, °С.........-1-125

Допустимая температура окружающей среды, "С . .-40...-(-85

В дианцзопе темпгратур 65...SS С мо"ность уменьшается линепно! В составе микросхемы.

0,8 0.7

0,6 0,5 0,к 0,3 0,2 Ю

i3 04 0,5 0,S 0,7 D,S Щ,8

w го 30 Илз.з



с5 5,6

5.? 3,6

.

S 1г № fs IS 17

.1--

0 ?

h.nA

hinpu !j4,5mA

U.mA




КТС393А-1, КТС393Б-1

Оощне свгдения. Кремкпеаые плаларные р-п-р-транзисториые пары прод-нэчсачены для применения в составе усилительных и Других гибридных инг..г-ртльных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и la-щнгу приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, игия, росы, пониженного и пов >Шэнного давления.

Оформление бескорнусное без кристаллодержателя, с гибкими выводами (рнс П1.48, о). Масса транзистора не более 0,005 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.

Электрические параметрь!. Классификацио\1йые параметры:

21Э-

2!Э,

КБО Э50

ЭБ.-ЭБ.

КкэС ">

окчя

Н." Hiii.-MOBaiue

мини-

макси-

<

<

мальное

мальное

ОоратныЛ ток коллек-

то,"а, мкА.

KTC393A-I

\<лстъ-\

при Г, = +85С;

КТС393А-1

КТС393Б-1

Обратный ток эм те[)а. мкА-

КТС393 VI

KTC303B-I

при Tc-bSSC:

КТС393Л-1

KTC393B-I

Ток утечки между тамзисторзми, мкА;

КТС393А-1

КТСЗЭЗБ-!

при Г.=+85*С:

KTC393A-I

F;TC393B-1

0,1 0,2

Модуль ра,зности прямых напряжении эмитгер-б.ла, мВ: КТС393А-1

КТСЗ» г-л

0,1 0,2





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 [ 94 ] 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217