Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Значена,

Рцжимы нзмереаи

Обозначен ие

о . к

S л я ч

S а: и л

а; :з

-а ъ

Статически!! коэффи1иен? передачи тока в схеме с ОЭ:

КТС394А

КТС394Б при 7c = +85°Cl

КТСЗМ4А

КТС394Б при Гс =-45"С:

КТС394Л

КТС394В

40 [00

40 100

20 50

120 3G0

Емкость коллекторного перехода пФ

1 раничное напряжение тцавзистора, В]

КТС394Б

45 30

napjvieTpbi сдвоенного транзистора

Разность входных Hd.ipa i f, - жений, мВ 1 f/ КТС394А )

Ошошеине статическил коэффициентов передачи гока

,0,5

Л1аисимадь«о допустимые параметры). Гарантируются при leMuepaiype окружающей среды 7с=-45...-fS5C

/О. Ъ

ток кол-

ПОСТОЯННЫЙ

лектора, мА......

sludx "~ °остонн.!>й ток ба

зы, мА .......

ЗБ tux -постоянное напря-

100 30

гаау -

эмйТ1ер - база 10 мкА), 8 .

жение

KBmax -постоянное напряжение коллектор-id(/5У= «-10 ыкА), В..... 45

*K4ffm % -постояняое напряжение коллектор - эмнттер

{R 10 кОм, = -10 мйА), В......45

Для одиночного фаизисюрй. ) R согтавр микроскемы Рисунки см, ва с J95. J9B

cysi ма рна я постоя н-ная pacce.iBdevia/( мощность

двух TpatiMCIOpOB (Гтеп.1

<+60*С), мВт mai - суммарная нмпульг ная pacteHBdCAviM мощное!ь двух транзисторов (1и 10 мкс, i>2, Ueuj,i :-f60"C), мВт ... .

nepexoja

aai - ieMnepaiypa = G

Лт. a-a -leWosoe сопротивленце переход - подложк a "С/Вт . . .

Допустимая Tiiwnepdrvpa окру

Жйющей (.реды, С . ,-45...-t&o

150 (00

7 Заа.

.0 i




ТтТТ1Г1ГГ1ф1Ч]11М [I ll-llIjiniT

KTC395A. КТС395Б

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные слвоепные п-р-п-трашисторы предназначены для использования в перемонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках.

Оформление бескорпусное. Приборы поставляют в наборах на двух отдель-ных электрически не связанных транзисторов Каждый транзистор на металлической подложке (рис. П1.35). Масса транзистора не более 0,5 г.

Условия эксплуатации - а соотьетствии с табл (12 4.

Электрические параметры. Классификационные параметры»

Наименование

Обозначен не

in 1Чен11Я

Режимы илме рения

<

<

Обратный ток коллектора мкА прн Гс+85°С

0,5 1

45 45

Обратный ток эмиттера, мкА

Напряжение насышения коллектор - эмиттер, В

Напряжение насыщения база ~

эмиттер, В

БЭ нас

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (при f-ШО МГц)

1 ПЭ 1

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:

КТС305Л

КТС395Б

при 7c = -f85C:

КТС395А

КГС395Б при 7cs=-45°С

КТС395Д

КТС395Б

40 100

40 100

iO 50

120 300

120 МЮ

Емкость коллекторного перехода (при f«lQ МГц), пФ

Граничное напряжение транзистора, В

КТС395А

КТС395Б

КЭО гр

45 30



i КИМ

м нзмерииия

На им OH манне

Обозначение

о • л

яз j

< s

<

л

Параметры сдвоенного гранзнсгора

Разность входных напряжений, мВ

Отношение статических коэффн-

цнеитов передачи тока двух транзисторов

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Го=-45...+85С.

/1 >

К max - постоянный ток кол лектора, мА , . . . . .

fimax - постоянный ТОК ба

зы. мА.......

BiTia\ - постоянное напря женне коллектор - база, В Кэвта\ - постоянное напря женне коллектор - эмиттер {Лв <10 кОм). В . . .

ь max -постоянное напря жение эмнттер - база, В .

30 45

45 4

рассеиваемая мощность каждого транзистора с дополнительным теплоотводом, мВт . . 250 SP*jjjg,, - суммарная постоянная мощность, рассеиваемая

прибором, мВт......300

S Рк. mai -суммарная импульсная мощность, рассеиваемая прибором (/и «10 мкс, Q2), мВт.......500

Рк, шах - импульсная рассеиваемая мощность каждого транзистора с дополнительным теплоотводом (SPk и шах=500 мВт, (.< <10 мкс, Q2). мВт ... 400

Тп шах - температура перехода, "С..........150

п-е - тепловое сопротивление переход - подложка, = СмВт.......100

Допусгимая температура окружающей среды, "С .-45...+85

0Л 0,5 0,5 и.

) Для одиночного транзистора*. )При монтаже в микресхему мощность определяется но формуле тах

={Та - Тс)1ч. Q-G. где/т, п-с=" = Рт q-и -f- R-j, п-т "Ь Rt, т-с {Rt: а-а- геплочов :1опротнвленив переход-подложка; Р, п-т- валовое йопротивле1ше .юдложка - твп-лотвод; Ry. г а - тепловое сопротивление те.зло! гвод - "реда),





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217