Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 [ 62 ] 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Максимально допустимые паметры. Гараятрруются при температуре окру-жаюшей среди Ге = -60 ..+125°С.

кгаах - постоянный тоЕ( коллектора, мА.......10

ЭБшах -постоянное напряжение эмнттер - база, Bi KT39fA 2. КТ301Б-2 . . , . 2

КТ391В-2 ....... I

Кб IT - посгояниое аапря жеиие коллектор - база, В; КТ391А-2, КТ391Ь-2 ... 15 КТ391В-2 ....... 10

К-Ятал "-постоянное напряжение коллектор - эмиттер (R <10 кОч). В

К max постоянная

ваемэя мощность ра мВт ...

рассей коллекто

Допустимая температура окружающей среды, "С .-60,..+ 125


1,5В

.i 0,Б D,S Vb

} В составе микросхемы.

В диапазоне температур Гс =

-60.. -f-SSC. При повышении температуры ог 85 до 125»С мощность уменьшается лннепно до 50 мВт,

т по т

S П IS

0 г ч

в 8 InA



-}

к up

- 10

oik S S

П391А-г,НТ391Е-г

Z-KijpHq max



КТ391А-1,НГЗЗ}5-г


iOhO-lO Q 104080*80*100 Тс °С



тэ1А-г,нтз91ь-1


НТ391А-2, ИТ3915-?


KlCMik KTCS94B

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные парные р-п-р-транзисгары предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах, мнкромодулях, узлах и блоках

Оформление бескорпусное на металлической подложке с гибкими выводами (рис ГГ1 34). Приборы поставляют в наборах из 2-х отдельных транзисторов, у которых коллектор электрически соединен с подложкой. Масса не более 0,5 г.

Условия эксплуатаини - в соответствии с табл. П2 4

Электрические параметры. Классификационные параметры) 1

213-

Няименование

Обозначение

Знатекия

---- - -----. -

Режима йлмерриин f

а> • о

s а и л

Парам

ОбратНз(й ГОК коллектора, мкА

етры одиночног

/кво 0,005

о,оз 1

0 тра

0,5 1

13ИСТ

45 45

Обратный ток эмиттера, мкА

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

КЭ нас

Напряжение насыщения база - эмиттер, В

БЭ нас

Модуль коэффицигйта передачи тока на высокой частоте





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 [ 62 ] 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217