Главная Журналы г. д-в - тепловое сопротиаленне переход - окружающаи среда. С/мВт.......3 Допустимая температура окружающей среды, °С 45...-Н85 В интервале температур 26;..85°G мощность уменьшается линейно, Пря монтаже в иикросхеич j определяется по формуле к [мВтЗСГп щах -- нУС.-/? где Тн - температура корпуса микросхемы, щ, н- тепловое сопротивление участка поверхность кристалла - корпус микросхемы Усредненное значение импульсной мощности о учетом мощновти, рассеиваемой нз фронтах. 0,1 8,4- 0,8 S 300 250 200 150 КТ379А-&Is=0,Qa6MA КТ379Б-Л1в=О,003мА
10° JO 10 10 l,nнA (1у JS" t„.c КТ380А, КТ38ПБ, КТ380В Общие сведений Кремниевые змитакснально-плакэрные р-п-р-трзнзисто-ры предказн-ачейы для использования в различного рода импульсные! неремон-т!фу{.\-ых гибридные схемах, мнкромодулях, узлах и блоках Оформление бескорпусное со столбиковыми выводами (рис. П1.14). Масса трагпистора не более 10 мг, УатоЕия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 3. Электрические параметры. Классификационные параметры? sj. к- R m .х чей и Значения Обратный ток коллектора, мкА: КТ380А, КТ380Б КТ380В при r-fSSCj КТ380А, КТ380Б КТ380Б при Го=-45 С; КТ380А. КТ380Б КТ380В 0,004 О 004 0,2 D.2 0,001 о 001 0,01 о 01 8,0 8,0 О 002 О 002 10 10 Обратный ток коллектор - эмнттер [R и < <10 кОм), мкА КТ380А, КТ380Б КТ380В 100 100 Напряжение ко)(лектор - насыихения эмнттер, В КЭ вас 0.08 Модуль коэффициента передачи тока ва высокой частоте Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КГ380А, КТ380В КТ380Б при rcs -Ь85 Ci КТ380Л, КТ380В КТ380Б при Гс=-45°С1 КТ380А. КТ380В КТ380Б 0,3 0,3 0,3 0.3
Максимально допустимые параметры. Гарантируются прв температуре окружающей среды Го«=-45.„+85°С. « Ктгх -постоянный гок кол- Ктах-постоянная рассеивае- лектора, мА мая мощность коллектора, при Ь=+25С ..... 10 мВт при Tc+aSG . , . . , 5 при Гс-=-45...+25G . . 15 , „ при Гс-»+85С.....5 /K.imas- импульсный ТОК КОЛ- лектора (в 100 мкс; О 5), мА....... 25 Pj и max -импульсная рассеиваемая мощность транзисто-ЗБшах -постоянное напря- ра (»<100 мкс, 0>5), мВт 50 жение эмигтер - база, В . 4 То max - температура перехода, K3Rmax -постоянное напря ..........00 жение коллектор - эмнттер (Ri <10 кОм . /к/г /?т. д-с - тепловое сопротивление «100 мкА), В: "Р. - о-РУжающая сре-КТ380А. КТЗЗОБ.....17 да, (;мьт.......6 ur-iann а Допустимая температура окру- "........ жающей среды. "С .--45...-f85 В интервале температур = 25°...85 G мощность и постоянный ток уменьшаются линейно. При монтаже в микросхему определяется по формуле Pj [мВт] - (Гп mas - Т,)/(0.7 + R кр,к)Т где Гн - температура KOpnjca микросхемы, Рт, нр-к - тепловое сопротивление поверхность крисгалла - корпус микросхемы Усредненное значение импульсной мощности с учетхм мощности, рассев-Баеиой на фронта»! 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [ 59 ] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |