Главная Журналы
0,4 0,8 U.,B 100 80 SO kO W НТЗВЗА,КТ368А-1-Л!ъ=0,5мА;нГ369В,НГ3696-Гй1ё -0,инА,НТЗт,НПВ9В-1-йиОЛмА, НГ363Г, НТ363МйЦ0,15мА >ZI3 80 40
0 50 WO 130 100 150 b,MA fru мгц 5д гор j50 W0 150 Ш им 00 т им .4 1 17 гтттт 1 КТ373А, КТ373Б. КТ373В КТ373Г Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-л-траизисто-ры предназначены для работы в схемах усиления а генерироваиг(а колеб<1Р1НЙ высокой частоты в быстродействуюп1нх импульсных, а также в других схемах. Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис. П128). Aiacca транзистора не более 0,2 г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл П2 4 Электрические параметры. Классификационные параметры; 213. КЭ iiac. Ьиэс KSO гр- Ki max KdЙ тя
Паиминование Обратный ток коллектор - эмиттер, мкА; КТ373А КТ373Б ОбФваа- КЭ r Значения нальнск 30 30 Режимы измерения 30 26 КТ373В КТ373Г граничное напряжение транзистора. В: КТ373А, КТ373Г КТ373Б КТ373В 2д 20 10
Емкость коллекторного перехода, пФ -- 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 [ 56 ] 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |