Главная Журналы ) При применении транзистора без теплоотвода н прн температуре акру-жающей среды более 25С шах [мВт1=(Тп mas-c)iI!, n-o- 0,4 д.5 0,6 OJ 0,8 tffi3,S КТ364Б
kO 80 no m 100 Х.мЛ КТ369А, КТ369Б, КТ369В. КТ369Г. KT369A-i. КТ369Б.1, KT369B-1, КТЗб9Г-1 Об-иие сведения. Импульгаые кремниевые план а рио-эоит аксиальные п-р-п* транзисторы предназначены для работы в гнбридио-пленочнык схемах, иикро-модулях, узлах и блоках специальной аппаратуры, имеющей герметичные корпуса ИЛИ иную защиту от действия внешней среды Оформление бескорпусное (рис. П1.30 и П1.31). Масса транзистора не более 0,02 г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3. Электрические параметры. Классификационные параметрыг 3,3, t/jg чае, Натчаеиорлйке Значения Режимы HJMepcBHi; Обратный ток коллектора, ыкА при 60.„+25°С: КТ369А, KT369A-i, КТ369Б, KT369B-J КТ369В, KT369BI, КТ369/, КТ369Г-1 при Гс = +85°С: КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-] КТ369В, КТ36УВ i, КТЗв9Г, КТ369Г-\ 9,015 0,0015 100 (00 Обратный ток 9митг)а, мкА Напряжение насышения коллек тор - эмнттер. tf: КТ369А, КТ36ЭБ, KT369A-i, КТ369Б-1 КТ369В, KT3e9B-J, КТ369Г, КТ369Г-1 К9 №с 0,8 О. 5 Напряжение насыщения бага эмиттер, В , Статический коэффициент передачи тока: КТ369А, KT369A-I КТ369Б, КТ369Б.1 КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, ктзбег-1 при Гс-=+85°С: КТ369А, КТ369А-1 КТ369Б, КТ369Б-1 КТ369В, KT369B-I КТ369Г, КТ369Г-1 20 40 20 40 10 20 100 200 100 200 400 200 400 200 200 150 150 10 150 150 10 10
Максимально допустимые параметры, жаюшей Среды Го=«-60.„+85С. /к mas- П0СТ0ЯН!1ЫИ ТОК колдек тора, мЛ....... /к, и max - ИМПутьСНЫЙ ТОК КОЛ лектора (/вШ мкс, Q> 5), мА....... KL mas -постоянное напря жение коллектор - база, В КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б КТ369Б J .... КТ369В, КТ369В I, КТ369Г КТ369Г-1 ...... КЭят. -постоянное папря женне коллектор - эмиттер 1 кОм), В; КТ369А, КТ369А-1, КТЗйЗБ, КТ369Б-1 ......45 КТ369В. КТ369В-1, КТ369Г, • КТ369Г.1 .......65 эв mas ~~ постоянное напряжение эмиттер - база, В . 4 45 65 Гарантируются при температуре окру- тэт. -постоянная рассеиваемая мощность транзистора, Вт пря Гс=-60... + 25°С . , .0,05 при Гв = + 85°С . . . . 0,026 К ii rпp -импульсная рассеиваемая мощность транзистора (/я<10 мкс, Q>5), Вт при Го=-60...4-25°С ... 1,6 при Гс = + 85°С.....0,8 Тн шах - температура перехода, С ...........150 Йт, п-е - тепловое сопротивление переход - окружающая среда, С/мВт.......2,5 Ri. ц-к - тепловое сопротивление переход - корпус С/Вт 80 Допустимая температура окружающей среды, "С . .-60...4-85 В диапазоне Гс ™ 26.,.85° О /к max " " т, о-о- 2 В диапазоне температур 7к=25...850 Рк- [Вт1=(150-7) ?, п-к- 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |