Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

260 no

сии."!

(ZOO

i <

i{? 0 f{?

?S 22 ZSJ.trA

KIMDC

HTSelA-HIJEtr

.. 1

НТЭ61Д

KT3G18,HJ3€t£,

, /

-0,8

1 i 1

<Э HQC

<>

B3 HQC

0 2 if 8 8 Ю 11 1 16 1з,мА

0 W 10 0 ч0 50 60 ID 80 9Q U,mA

KT364A, КТ364Б. KT364B

Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто-ры предназначены для работы в неремонтируемых гибридных ямпульсны? схемах, узлах н блоках.

Оформление бескорпусное (рис. П129). Масса транзистора не более 0,006 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры. Классификационные параметры! 213, (рас.



Навмонованне

Обратный ток коллектора, мкА

при Гс =

•=+85" С

Ойозна-

КЬО

0,001 0,01

0,007 О 1

Обратный ток вмнттера, икА

при Тв»

- +85" С

0,001

у.ио-.

0,002 О 01

Напряженке насыщения коллектор - амиттер, В

КЭ нав

0,12

0.155

Напряжение насы-шенйя база эмиттер, В

ВЭ нас

0,92

0,95

Модуль коэффициента передачи ока на вы1.окой частоте

Статический коэф фициен! передачи тока в схеме с ОЭ;

КТ364А

КТ364Б

КТЗЬ4В прв 7с= = +85° С

КТ364А

КТ364Б

КТ364В при = ---40° Ci

КТ364А

КТ364Б КТЗЬ4В

20 40

20 40 80

0.3Л21Э

при 25с

при 25°с О.ЗЛлэ при 25°С

70 120 240

70 120 240

100 100 100

100 100 100

100 100 100

1&7



Обовви

М1ШИ

иальайе

Время рассасывания, не: КТ364А

КТЗ&4Б

КТ364В

Режимы измерения

б. "А

100 100

Емкость эмиттерного перехода, пФ

Емкость коллек торного перехода яФ

Постоянная вре мени цепи обратной связи на высокой частоте пс

Максимально допустимые параметры, жаюшей среды 7о = -40 ..4-85" С

К шах - постояиный ТОК коллек

тора, мА . . 200

/к, мтаа - ИМПуЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ лектора, {?и10 мкс, 0> 10), мА . 400

эб та-ч ~ постоянное Напряжение эмигтер - база, В 5

Кь max - постоянное напряжение коллектор - база, В , 25

кЯтах -постоянное напряжение коллектор - эмнттер (i?r 10 кОм). В ...» 20

Гарантируются при температуре окру»

К т-\у. -постоянная рассеиваемая мощность коллектора jBr 30

mai -температура перехода, "С..........125

Йт, п-с - тепловое сопротивл§}1ие переход - окружпощая сре-да С/мВт.......3,3

Допустимая температура окружающей среды, С . 40.,.-«-85





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217