Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [ 51 ] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Значения

Режимы измерения

Наименование

Обоэна-чевае

А 5>

d 1-.

при Го=-40С) КТ357А. КТ357В КТ357Б, КТ357Г

10 10

Время рассасывания, не; КТ357А, КТ357В

КТ357Б, КТ357Г

150 250

10 10

1 мА = 1 мА

Емкость эмиттерного перехода, пФ

Емкость коллекторного перехода, пФ

Максимально допустимые параметры. Жающей среды Го =-40...+85° С

Ктах -постоянный ТОК

коллектора. мА.....40

к! и max - импульсный ток КОЛ-

лектора, мЛ.......80

ь wd -постоянное напряжение эмнттер - база. В . 3,5

кБ [гах -постоянное напряжение коллектор - база, В: КТ357А. КТ357В , . . . . 6 КТ357Б, КТ357Г.....20

КЗтах -постоянное напряжение коллектор - эмнттер, В:

КТ357А, КТ357В , . . .\ 6

Гарантируются при температуре окру-

КТ357Б, КТ357Г 20

К max ~ постоянная рассеиваемая мощность коллектора. мВт -........100

Я« таж - имиульсяая рассеиваемая MoiHHocTb транзистора (/и<1 мкс), мВт.....200

Тп шах - температура перехода, "С.........120

Rr, d-c - тепловое сопротивление переход - окрУ)[-аюшая среда, ° С/мВт .....0,7

Допустимая гемпература окружающей среды, °С . , -40..-Ь85

При •= - Ю. . -Ь50° С, -При повыщеннн 1емпературы до 85" С

Кш.ИмВт)- 50-Ь (85-Те)/0,7.



-1"

-I~-

/ /

--1-

Oi ff,? 0,5 (7,? t63,

---КГ357>1-Л1б~0,?«- -inlB-

---S73576h=0.05MA;

>

r КГ337

i -j

"го 1W

no m

SQ 50 7fl BO 50 hO 30

го .г? 3i/ 35 wr„,M



КТ3.58А КТ358Б, КТ358В

Общие сведений. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-л транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты и в быстродействующих импульсных схемах

Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.28). Масса транзистора не более 0,2 г.

Условия эксплуатации - в соответствия с табл. П2 4,

Электрические параметры. Классификационные параметры; квтах 219.

Наимевова яие

Ойоэна-чение

Зяачення

Режимы измеревия

и 1 о я и

а

<

< а

Обратный ток коллектора, мкА;

КТ358А, КТ358В

КТ358Б

при 7с=+85°Сз КТ358А. КТ358В КТ358Б

30 30

Обратный ток эмиттера, мкА

Граничное напряжение транзистора, Вг

КТ358А, КТ358В

КТ368Б

7,5 7,5

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

Напряжение насыщения база - эмнттер, В

БЭ нас

Статический коэффициент передачи тока в схе-tte с ОЭ (Q> 100)1

КТ358А

КТ358Б

КТ358В при Го:=+85=С1

КТ358А

КТ358Б КТ358В

25 50

25 50

100 100

200 200 560

5.5 &.5

5,5 5,5 5.5

20 20

20 20

0 001 0 001 0 001

0 ooi

0 001

0,001





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [ 51 ] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217