Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 [ 46 ] 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217


JO JO 40

npiiimrjimiuiiiirjiirTjTTTT

KT343A КТ343Б, KT343B

Общне снедення. Креинненые «ланарно-зпнтакснальаые р-я-/7-транзнсто-ры предназначены для использования в импульсных схемах в вычислительных устройствах и приборах автоматики.

Корпус металлический, герметичный, с гцбкнии выводами (рис. П1.11). Мае-са транзистора не более 0,5 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры! ftjj рас кэя. I 14? 4



Нашиеноввние

Обозначение

Значения

Режимы yauepeiiufl

о я %

5 1-

т . о м К

и SI

а; ч

CD 5

< к

Обратный гок коллектора, мкА: - КТ343А, КТ343Б КТ343Б

при 7"о=-Ь85°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В

при 7с = ~40° С: КТ343А, КТ343Б КТ343В

10 10

10 7

10 7

Обратный ток коллектор - эмнттер, мкА;

КТ343А, КТ343Б

КТ343В

100 100

17 9

Ыапряже}1ие насыщения коллектор-эмиттер. В

КЭ нас

Напряжение насыщения база- эмиттер, В

ВЭ иве

0,78

0.95

Модуль коэффициента передачи гока на высокой частоте при 1=100 МГц

1 218 1

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ;

КТ343А, КТ343В

КТ343Б

прн Гс = +85°С: КТ343А, КТ343В KT343D

при Тс="~40°С: КТ343Л, КТ343В КТ343Б

30 50

30 50

0,3 0,3

0,3 0,3

0,3 0,3

10 10

10 10

Время рассасывания, нс1 КТ343А, КТ343В КТ343Б

10 SO

10 10

Емкость коллекторного перехода пря f~lQ МГц. пФ

Емкость эмиттерного перехода при =10 МГц, пФ



Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-гкающен среды 7е=-40 ..4-85 С.

fe. щах - постоянный ток коллек тора, мА .....

/к, и тая - НМПу.1ЬСНЫЙ ток кол

лектора (talO мкс;

500), мА .....

ЭБ та\ -постоянное напря

жение эмиттер - база, В . KSfiraax -постоянное напря

жение коллектор - эмиттер . (Кб<10 кОм, /кэ 100 мкА),

150 4

КТ343А, КТ343Б .... 17

КТ343В........9

ктах -постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт........150

Та тая - температура перехода, °С..........150

Rr.n-o-тепловое сопротивление переход - окружающая среда, "С/мВт.......0.5

Допустимая температура окружающей среды, "С . 40..-Ь85

В диапазоне температур -40.=.+75°С. Пря Т > 75" С /к max (150 - Гс) ?т, п~с.

мВт!

9,8 0,6

0,1 В

L,mA

0,6 o,s 1/53,3


I Ч 6

Kr336-41 = 0JSMA


о ш го 30 1зпА


о 30 т i>i,NA





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 [ 46 ] 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217