Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [ 38 ] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

s,sos

0,0011 0,00?

90 10 50 30 10

0} 0,6 %J

И]ЗПВ

. .

.НГ317А

0,iiO 0,30 0,20 OJB

1 1... .

J,D 1,0 3,0 k,0 UH3,fi

3. 7 I/ ]5 \0 lYiA

0,90 0,85 0,80 0,75 0,76 0,65 0,S0 0,55

-0,18 -0,16

\-o,w

0,08 0,0b

Н7317/\-А1ЧмнА HT317E/iI=1mA ПЗт-А1=0,5тА

> >

"кэ нас

-«Г -70 О 2D W 7г °С

НТЗПА-h-hOnA, НГ377В-1ъ=,£мА;




ттрпртпртптттттртт

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В

0бдне сведения. Германиевые быстродействующие импульсные сплавно-диффузионные р-п-р-транзис10ры предназначены для генерирования, усиления, преобразования колебаний высокой частоты и для работы в импульсных быстродействующих схемах,

Корпус металлияесккй, герметичный, со стеклянными изоляторами и гиоь,н-ми выводами (рис. П1Л9). Масса транзистора не более 2,2 г.

Условия эксплуатации - s соответстйна с табл. П2.1.

Электрические параметры. Классификационные параметры!

КЭО гр-

Значения

Режйм! измерения

• Иаамеыованив

Обозначение

% ш s л я ч

мальное

аз tf)

Обратный хок коллектора, мкА

прк 7"с= = -1-70° С

при 7"с = =-55 С

7.0 70

20 12

Обратный ток эмиттера, мкА

УэБО

Граничное напряжение транзистора (Q== = 10. 100). В:

ГТ320А

ГТ320Б

ГТ320В

КЭО рр

13 И

10 10 10

50 50 50

Напряжение насыщения Аол-лекгор-эмнттер (0 = 10., 100), В

КЭ вас

0,45

Напряжение насыщения база- эмиттер, В

0.45

Модуль коэффициента передача тока на высокой частоте-

П320А

ГГ320Б

ГТ320В

10 W 10

2.10 2Ш? 2-10



Эначени!!

Режиме] шмсренйя

Найменованне

Обозначен не

максимальное

т и:

<

/Б. мА

Статический

коэф

передачи

токв в схеме

с ОЭ

(Q-IO 100):

ГТ320А

ГТ320Б

- ГТ320В

при =

- +70" С: ГТ320А

при 25° С

ГТ320Б

1,75219

при 25"С но не более 250

ГТ320В

при Тг =

прн 25*С

55" С:

ГТ320А

ГТ320Б

ГТ320В

Время

ассасы-

ваиия

5 10 мкс).

гтзго

/gj=2MA

?б2-1 мА

ГТ320Б

/б,=2мА

/g2=l мА

ГТ320В

/р1=2мА

/б2=1мА

Емкость зчнт-

терного перехо-

да пФ

5 10*

Емкость коллекторного перехода, пФ

5-!0в

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ПС

ГТ320А,

ГТ320Б

ГТ320В

500 600

510в

5-10»





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [ 38 ] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217