Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 [ 35 ] 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами а гибкими выЕОламв (рис. П].2],й). Масса транзистора «е более 1 г. Условия эксплуатации-в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры, Классификационные параметры;

КЭ эав- 8 наа- Ч\

Наше tioBa ние

Обознл

Режимы измерения

Обратйый ток коллектора мкА:

КТ312А, КТ312В

КТ312В

при Ге-+85"С KT3I2A. КТ312В КТ312Б

при 7в="4{ГС1 КТ312А, KT3i2B KT3I2B

0.2 0,2

0,01 0,01

36 3&

Обратный ток эмйттера, мкА

0,1 10

Граничное напряжение транзистора, Bi

КТ312А, КТ312В

КТ312Б

Напряжение насыщения коллектор - энит-rep, В

КЭ tiae

0,18

Напряжение насыщения база - эмвггер, В

ВВ нас

о 83

Модуль коэффициента передачи тока на высоко» частоте: KT3I2A

КТЗ]2Б, КТ312В

20 20

С1 этический коэффицв-еит передачи тока в схеме с ОЭ;

КТ312А

КТ312Б

КТ312В

10 25 50

30 30

100 100 280



Наименование

Обоакв* чевве

Ремы измерешю

при 7-с=+85°С КТ312А КТа12Б КТ312В

прн Гс=-40°Cf КТ312А КТ312Б КТ312В

10 36 50

200 260 5б0

ШО 100 §0

Емкость эмиттерного перехода, пФ

Емкость коллекторного перехода, пФ

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс="-40...+85° С.

-/к max - постоянный ТОК коллек-тора, мА........30

/К.жтах - импульсный ТОК КОЛ-

лектора, мА.......60

ЭБ шах ~ постоянное напряжение эмиттер - база, В . 4

КБ max -постоянное .напряжение коллектор - база, В: КТ312А, КТ312В , , . . , 20 КТ312Б........35

кэя шах -постоянное напряженке коллектор - эмнттер №б<100 Ом), Bv

КТ312А, КТ312В ..... 20 КТ312Б.....Ч . . 36

Ктах -постоянная раесеи-ваемая мошлость коллектора (7с 25° С), мВт.....225

Рй шах - импульсная рассеиваемая мощность транзистора (ж<1 мкс), мВт , . .450

Rf п-с-тепловое совротивле-ние переход - окружающая среда, "С/мВт......0,4

Допустимая температура окружающей среды, "С . --бО...-f 120

1* При Те=-40.,,-[25*С. При Гв«25.. .85" С Pmex [мВт] = 75+(85-




tf 1з,МА

0,23 0,22 0,21 0,20 0,1Э

0,18 ОЛ 0W

-0,80 -0,75 0,10 0,65

-o,so

-С,55 -0,50

Знас 1

= 58

18 h

-ео ho -го о го но +80

! 1 1

f=Ufii,

ЮНОН

200 1,mA





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 [ 35 ] 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217