Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 [ 34 ] 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

ГТЗЮА, ГТ310Б, ГТЗЮВ, ГТЗЮГ, ГТ310Д, ГТ310&

Ощие сведения. Германиевые сплавно-диффузионные р-п-р-транзисторы предназначены для работы в малогабаритных всеволновых радиовещательных ариемнйках, телевизорах, магнитофонах, а также » в другой аппаратуре.

Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гнвкими выводами (рис. П1.20). Масса транзистора не более 0,2 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл, П2.2.

Электрические параметры. Клаесифякациойные параметры)

Наименование

Обозначение

Значанш!

Pe;ivHMbi измерения

<

<

Обратный тов коллектора, мкА

при Tc+SSC при Гс = -40°С

0,5 10 8,005

, 5 120 5

Напряжение насышения коллектор - эмиттер, В

КЭ нас

Напряжение насыщенна база - эмиттер, В

Входное сопротивление транзиетора в режиме малого сигнала, Ом

fhiQ

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте:

ГТЗЮА, ГТ310Б ГТЗЮВ, ГТЗЮГ ГТЗШД, ГТЗЮВ

8 0 4

5 5 5

5 6 5

Вьнодная проводимость в режиме малого сигнала при Х.Х., мкСм

Статический коэффициент передата тока в схеме с ОЭ;

1ГТЗ(ЮА, ГТЗЮВ,

ГТЗШД

mioBi гтзшг,

ГТЗЮЕ

20 60

50 125

70 180



Н-эимеио*!* пне

чение

измерении

ж ч я x

й 71

£

<

ЛрИ +55° Cs

ГТ310А, гтзюв.

гтзюд

ГТЗШБ. ГТЗЮГ,

1Т310Е

прн Тс=-40°С:

ГТЗЮД, ГТЗЮВ.

ГТЗЮД

ГТЗШБ, ГТЗЮГ,

ГТЗШЕ

Коэффициент шума, дБ:

ГТЗЮД, ГТЗЮБ

ГТЗЮВ-ГТЗЮЕ

Емкость эмиттерного

перс-хода, пФ

Емкость коллекторного

пепсхода, пФ:

ГТЗЮД, ГТЗЮБ

ГТЗЮВ-ГТЗЮЕ

Постоянная времени цепи обратной СЕязи на висоной частоте, пс:

ГТЗЮА-ГТЗЮГ

ЕТЗЮД. [ТЗЮЕ

50 >

Максимально допустимы*- параметры. Гарантируются при температуре окру-

;каю]цей среды Гс = -40. +53С.

/к таи - посгоянцын ток кол.1ек-тора, мД........Ю

кьта-а -постоянное напряжение коллектор - баз-а. В . 12

Кэк пал " посюянное няпря-жение колпекгор-ьмиг;ер, В

при У?г = 10 ьОы ..... Ю

при =200 кОм .... 6

посгоянная рассеиваемая мощность коллектора (/ = -40...+ 35" С), мВт . .

Т,- mat - темиерэтурэ °с ....

перехода,

20 75

?т, п-0 - тепловое сопротивление переход - окружающая среда, "С/мВт.....2

Допустимая температура окру-жаюшсГг сред i. °С . ,-40,..+55

Прн Т>ЪЪ°С Р [мВг]-(75- Гс)/т,а-



Г--1-

с 0,1 0,3 l/b3,3

0 14 6 3 [гкэ.З

пзш.пзт,пзш-м=птА

[ГЗ!0А,ПЗ/0в,[ТЗ!0Д1=10мнА


фИф1М1111{111111[

20 21 2а

KT3I2A, КТ312Б, КТ312В

Обшие сивдения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п-транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой часшты, для работы в быстродействующих импульсных схемах, 10S





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 [ 34 ] 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217