Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Максимально допустимые параметры

1к - постоянный ток коллектора, мА........20

/к,яи1я« - ичпулы:ный ток кот-лектора (Q2. f=l кГи),мА 40

кь max ~ постоящюе иаиря-зкенне коллектор - база, Bj

KT2KIA........]б

КТ2ШБ ........ 30

КТ210В ........ 60

КЭЛ max постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Rb <!0 кОм), В;

КТ210Л........15

КТ210Б........30

КТ210В 60

ЭБ mas ~ постоянное иапря-жет(ие SMHTTep база, В . 10

твя ~~ оостоян11ая рассеиваемая мещиолть коллектсй, мВт 26

к, я шй! -импульсная рассеиваемая мощность транзистора (fl кГц, 02), мВт . 4в

Тв max - температура перехода, °С 126

т, п-е - тепловое сопротивление переход - окружающая среда, "С/мВт...... 3

Допустимая температура окружающей среды, С , -60„.+85

1 В диапазоне температур 4-15.м-60° С значения Lvo е . Уи-я Ьменьшаются линейно до 55 В для группы В.

В диапазоне температур - 60... + 35° С ; в дийпазине jeMneparvp ЗЬ...ЖС КшагВт]- (125-Гс)/Я,,п-с.

0,1 В.1

0, 0,5 D,S и,


г 4 S 8 [/„э, нто-Мь0,измА




0,01 z 3 S 0,1 г 3 1,0 г 3 It 5 w Гк,м/4


0.03 0,1 0,1

1,0 г h,MA


1 iijiH("((iiiiii(4 ic(lTi(" irimi

\ Эа 2 22 23 24 ,

KT2I4 A-I. KT214 Б-1, KT2I4 B-f t<T2f4 Г-i, KT214 Д-1. KT2U E-1

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р-транзисто-РЬ1 предназначены для использования в ключевых, линейных и других неремон* тируемых гибридных схемах, мнкромодулях, узлах и блоках аппаратуры, 80



Оформление бескорпусное в спутнике таре (рис. Ш 17). Масса транзисторе fc5 Tdphi не более 0,01 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. 112 ii.

Электрические параметры. Классификационные параметры:

КЭО рр K9fi max ЭБО max

Найме»оаание

Обозуа-

Значени

Обратный ток коллектор-»миттер (Дв - = 10 кОм, Гс=1 = +85"С), rA

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В KT2I4B 1-KT2I4E 1

Тоже при других режимах

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:

КТ254В-1«

KT214E.I

КЭ вас

БЭ вас

Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, кОм

\ ,2

Грапняное напряжение транзистора, В:

KT214A-I, КТ214Б-1

KT2I4B.1

КТ214Г-1

КТ2НД 1

КТ214Е-1

кэо FP

ао 60

40 30 20

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:

KT2I4A.1

КТ214Б.1

0,04 0,04





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217