Главная  Журналы 

0 1 [ 2 ] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

в настоящее время широкое применение в различной электронной аппаратуре находят полевые транзисторы, которые по своим параметрам н характеристикам более схожи с электровакуумными приборами В частности, это сходство проявляется в том, что полевые транзисторы обладают большим входным сопротивлением, малыми токами угечки, сравнительно слабой зависимостью параметров от температуры

1.4. ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ОТ РЕЖИМА И ТЕМПЕРАТУРЫ

Типовая завясимосгь электрических параметров от температуры маломощного германиевого транзистора представлена на рис 9, из которого следует, что с повышением температуры окружающей среды происходит изменение электрических параметров Температурная зависимость электрических параметров оказывает значитечьпое влияние па работу схемы электронного устройства Особенно эта зависимость проявляется при включении транзисторов по схеме с общим эмиттером. Так, статический коэффициент передачи тоьа 213 может изменяться в 2-3 раза в интервале рабочих температур Насколько сильна температурная зависимость обратных токов эмиттерного и коллекторного р-л-пере-хода, видно из рис 10,


-?!) -чО

Рис 9 Типовая зависичость fi-napa-метров германиевого транзистора от температуры окружающей среды


Рис 10 Типовая зависимость обратных токов коллектора и эмиттера кремниевого маломощного транзистора

Следует иметь в виду, что у большинства транзисторов наблюдается умень шепие допустимого напряжения на коллекторе и эмиттере соответственно на i 2 и 0,1 0,2 В при увеличении температуры на каждые S С Для 1рем1[ие вых транзисторов уменьшение напряжений может наблюдаться и в области отрицательных температур Характер относитетьных зависимостей электрических параметров германиевого маломощного транзистора от тока эмиттера и напряжения на коллекторе представдрн на рис 11 Зависимость статического коэффи цие11та передачи тока от тока эмиттера имеет ярко выраженный участок с мак симумом в средней части рабочего режима (рис 12

1.5. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Вольт амперные характеристики полупроводниковых приборов содержат большую информацию о свойствах н качестве прибора По этиу характеристикам можно определить ряц параметров и зависимость их от режима, часть из которых не приводится в технических условиях или справочных Матер,иалах Вольт амперные характеристики снимаются по точкам либо с помощью характерногра фа осцил101рафическим методом

По выходным характеристикам транзисторов (рис 13) определяют максимально допустимые и рабочие режимы прибора, а также качество структуры транзистора, наличие дефектов, загрязнений и влаги на поверхности структуры [G] Оценка качества структур на стадии их проверки еще па пластине оказывается весьма эффективной и дает существенную экономическую выгоду, поскольку исключает из производственного цикла дефектные структуры.



h при !з1мА 5

h при Vjff, 56 1,6

1,1 1,0 0.8

- !

"2

3 h 7э,МЛ В

5 Ю

m U,8

Рис II Типовая зависимость -параметров маломощного германиевого транзистора от това эмиттера и напряжения яа коллекторе

-j иопасть



дбиасюь йтсечни

Рнс 12 Типовая зависимость статического Рнс ГЗ Типовые выходные вольт-ампер-коэффициента передачи тока маломощного ные характеристики транзистора кремниевого транзистора от тока эмиттера


Ряс 14. Вид вы»)В«оЯ характерястнаи транзистора в рреяельжн! режиме



Из вольт-амперной характеристики транзистора можно определить пробивное напряжение, обратный ток«-перехода и другие параметры. Так, на рис 14 показана зависимость /к / (к) "Р" разпых условиях на входе Если базовый вывод транзистора отключить н приложить иапряжекие между коллектором и эмиттером (при = оо), то пробой перехода наступает при напряжении между электродами значительно меньшем, чем при = 0:

КЭО проб -КБО проб/Vl +/121Э ~ t/jgjo проб/213

где fKEOпроб "~ "Р*"**® пробоя между коллектором и базой при отключенном эмиттере; т - коэффициент, равный для кремниевых приборов 2 ... 4 и германиевых 3 ... 6.

Как видно из рис. 14,. %эопроб < кэк проб < КБОпроб- Напряжения кэОпроб кэк гроб соответствуют крайним значениям внешнего сопротивления между базой и эмиттером от = ДО = оо- Для всех промежуточных значений R- пробивные напряжения fK-ffnpoe также будут иметь промежуточные значения,

1.6. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ТРАНЗИСТОРОВ

Зависимость параметров транзисторов от температуры, электрического режима и частоты, наличие технологического разброса параметров накладывают специфические требоваппя на расчет и принципы построения схем на транзисторах. Эти требования направлены на повышение надежности работы схемы и сводятся к следующему

.1. Расчет схем должен производиться на основании минимального и максимального SfiaqeHHH того или иного параметра, указанных в справочнике. Должно быть учтено наихудшее значение параметра (например, наименьшее -(начение коэффгщиентз передачи тока при минимальной рабочей темпера lype) в пределах имеющегося разброса в используемом диапазоне электрических режимов.

2. Не рекомендуется искусственное сужение разброса параметров против указанного в ТУ, поскольку работа схемы будет более критичной при замене транзисторов.

3, Необходимо применять схемы, обладающие повышенной стаби.чьностью при работе во всем диапазоне температур, используя различные способы включения транзисторов по переменному и постоянному току в одном н том же каскаде. Повышенной стабильностью обладаю! схемы с элемептэмн гемпературпоп стабилизации в отрицательными обратны-»г« связями но току я напряжению, а Taii-же схемы, импошие в коллекторной цепи ограничивающие ток сопротивления.

Выбор типа тчзнзнстора. Г7ри выборе транзистора исходит из характера радиоэлекгронной схемы, а также требований к ее выходным электрическим параметрам н эксплуатационным режимам Особое значение имеет диапазон рабо-чих температур конструируемого устройства в целом. Необходимо иметь в виду, что кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при повышенной те\пературе (вн.10ть до 125* С), но их коэффициент- передачи по току сильно уменьшается при низких 1емперат>рах. Это обстоятельство заставляет использовать при низких температурах большее количество транзисторов для получения заданного усиления. Кроме того, кремниевые транзисторы в области малых токов имеют более резкую зависимость параметров (h.2iy н др.) от тока эмиттера.

Не рекомендуется применять-мощные транзисторы в тех случаях, когда можно использовать маломощные, поскольку при работе мощных транзисторов в маломощнььх схемах (при малых токах, которые могут быть соизмеримы с обратным током коллектора) коэффициент передачи по току сильно зависит как от тока, так и-от температуры окружающей среды, и кроме того, мал по абсолютной величине Исгюльзозапие мощных траизиеторов без теплоотводов приводит к температурной неусюйчргвости рабо1Ы тра1тзнстора.

Частотн!,1Й предел усиления и генерирования транзисторов должен строго соответствовлтт схемным (рсбованням. 1!с следует применять высокочастотньге





0 1 [ 2 ] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217