Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 [ 190 ] 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Зы<1чек1

5кпмы

рс-ння

Наименование

Обоавеченкс:

e,

<

X Z В t;

>]

Напряжение отсечкн, В.

ЗИ ото

- КПС202А-2,

КПС202Б-2

КПС202В-2

КПС202Г-2

Разность напряжений

затвор - исток, мВ:

КПС202А-2,

КПС202Б-2

It"

КПС202В-2

КПС202Г-2

Температурный уход разности напряжений затвор - исток, акВУС»

КПС202А-2,

КПС202Б-2

КПС202В-2

КПС202Г-2

зи1-эиг!

10 10 10

0,5 0,5

I ,5

Размах шумового напряжения {/?н=30 кОм, /=0,1 10 Гц), икВ;

КПС202А 2

КПС202Б-2

Входная емкость, пФ

2,5 1

Проходная емкость, пФ

Активная выходная аро-волимость (/=10 МГц), ыкСм



Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре ок dKJuiefi среды 7=-45...4-85° С.

ружс1К1шеи

(ЗИ"dx -попояпиое напряжеине затнор- меток для ка к-дой половины сдвоенного Транзистора, В......0,5

t3; I -ио.тояиное иапряже-ияе затвор-сток дгя каждой половины сдчоенниго транэисюра, В . .

Си тя.\ -постоянное напрял\с-нне сток - исгок для каждой половины СДВ0еН!1010

транзисюра, В . » . . . . 15

тах - ПССТ0ПИ1ТЭЯ рассеиваемая мощность {в составе условной микросхемы) каждой половины сдвоегьюю траизт стора, мВт

при Гс=-45. 41° С . , . 30 При Тс = +86°С .... 25-

Rt. а-е -тепловое сопротИнлс-Нне сдвоенного грнзистора * С/мВт..... 3

Допусгимая температура окружающей c].eдJ, С , ,-45. +В5

В интервале температур 4-45,..-Ь85° С Рца 1mBi]={I45- Гс) ?х, i-c Н1С202А-2, m2DZB-2 KRC20ZA-2, КПС202В-2


4 8 М i£ to ttH.y

ij; My* HUClSIB 2, т02й J 10

НРСтГ2,КР.202Е r

1

Im -

-\-r-

n IS и

}2 ff



6 мА/В

HUZdli-l

HmZDlA-l НПС20гЬ-2

2,8 1,H 2,0 \b 1,1

-1

! )

- - -

T -

1 1 1

V 0,1 0,4 D,S 0,8 1,0 1,2 1, 1,S [/31,, 0

КП202Д-Г КП202Е-1

Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные малошумяшиеПJpлe• рые транзисторы с р-п переходов" и п-каналом предназначены для работы во вход[[ых каскадах усилителей постоянного тока и низкой частоты в составе гибридных интегральных схем

Оформление бескорпусное (рис П( У1) Масса не более 0,2 г.

Условия элсплуатацни - в соответствии с табл П2 2

Элентрические параметры Классификанионные нараметры":

-начсц

[1а И минование

Обозна

0 s1 5

m 1:

<; д

Начальный ток стока, мАз КП202Д.1 КП202Е-1

с ыя".

0,5 1,1

10 10

Ток утечки затвора. н\

при Гс = -i-asc

>\s

10 10





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 [ 190 ] 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217