Главная Журналы Iff-" 0,5 0
-49 G 40 SO JcC 0 ZO 40 SO 80T(;°C 0 г .4 В 8 КП201Е, КП201Ж, КП201И, КП201К, КП201Л Общие сведения. Кремниевые планарные диффузионные транзисторы с р-п-переходом а р-каналом предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока в составе микросхем, узлов н блоков. Оформление бескорпусное {рис. П1.89). Масса транзистора не более 0,005 г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл, П2,2, Электрические параметры. Классификационные параметры; ЗИ ото
Типовое вначенне. Максимально допустимые параметры. Эти параметры гарантируются дрв темперагуре окружающей среды /о™-40,„+85°С, зи max - постоянное яапряже-ыие затвор - исток. В , , ,0,5 СЗ max -постоянное вапряже-ние сток (исток) - затвор, В........ * 15 си пах - Постоянное напряжеине сток - исток. В . . . , тах -постоянная рассеиваемая мощность в составе мик* росхемы (7е«-40„.+30С), мВт ......... Та ли - температура перехода, С..........135 Допустимак температура окружающей среды. "С . -40 . + 85 В );,;т?раале lewneparyp 30...85° С Pas ImBtJ = {135- ГсУ1,75. 1,ПА НП201Л 1,8 1,4 В,8 B,S S,4
О , В,Ч В,8 1,1 1,8 UjJ нпгоч т2ощ
1,мА 1,0
4 8 П { 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 [ 188 ] 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |