Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 [ 174 ] 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

HW3a

нгот.нгд!зв


0,6 0,8 1,0 1,1 1,4 ITgg.S H7B12A


0,0 0,8 1,0 1,1 1,4 U,l

0,4 0

\ 1

5 Ю 15 lf,{3,£

/ООО

-1-1-1-1-1-1-1-1-

I=0,ZA для КТЭ13А

-1-г

Г

L-U,4A ОЛЯ flfyiJD, Н7913В

»-

40 [/цэ,8



0,5.

0,7.


в 0.0 1,& iji 11 io PsxiBm




20

KT914A

Общие сведепня. Кремниевые эпитаксиально-планарные р-к-р-траязисторы предназначены для работ в СВЧ устройствах широкого применения.

Корпус металлокерамический, герметичный, с жесткими выводами и монтажным винтом (рис. П1.76). Масса транзистора не более б г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 3.

Конструктивные данные

Индуктивность еыводоз (контакт у основания керамики)! эмиттера 2,5 нГ

базы........ 2,5 нГ

коллекора • . . . . . . 2,5 нГ

Емкость:

эмиттер - корпус Cl . . . 1,3 пФ коллектор - корпус Сг . . 1,8 пФ база - коллектор Сз . . * 1,3 пФ

Индуктивность выводов (контакт в конце вывода):

эмиттера ,.......4 вГ

базы .........4 нГ

коллектора ........4 нГ

Емкость:

коллектор - база С* . . 0,35 пФ эмиттер ~ база Св . . . 0,35 пФ коллектор - эмиттер Се . 0.35 пФ

Электрические параметры. Классификационные параметры!

Рвых Лг1э, ки. Тц, Ск-

Наимеиб1ЭаЕ1Ие

Обозначение

Значения

Режимы H3VI pi? И"

ч, о а я л

к S 2 S

о. о са О

с [£ t-

о л 1£ =:

с> со

<

<

<

Обратны.1 ГОК эмиттера, мкА

Обратный тон коллектор -• эмптс-о (?Б = «100 Ом), мА

при Тс=-60.

...+25" С

при ?"с- + 25С

0,001

0,003

0,2 0,04

65 65

Обратный 1 ок ьоллекто-ра, мА

0,001

Напряжение насыщения коллсктоо - эмиттер, В

КЭ нас

Напряжение насыщения эмиттер -- база. В

БЭ нас

0,85

Модуль коэффициента псреда-и тока на высокой частоте





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 [ 174 ] 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217