Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 [ 168 ] 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

HaKMeiioBatiMf

Обозначение

Значения

i ежимы шмрренч;

прн ? i = 85 Cl КТ943А КТ943Б КТ943В КТ9431 КТ943Д

при Гс = -45° Cj КТ943А КТ943Б КТ943В КТ943[

КТ943 а

а

<

Напряжение между кол4екыром и эмит тером в режиме насышения, Bj

КТ943А

КТ943Б

КТ943В

КТ943Г

КТ943Д

0,6 0,6 0,6

! ,2

Статический коэффициент передачи то

ка в схеме с ОЭ:

КТ943А

К;Т943Б

КТ943В

1),15

КТ943Г

0,15

КТ943Д

),15

при r=+85Ci

КТ943А

0,15

КТ943Б

j,15

КТ943В

0,15

КТ943Г

0,15

КТ943Д

0,15

при Тг=-45°С

КТ943А

0.15

КТ943В

0.15

КТ943В

0.15

КТ943Г

0,15

КТ943Д

0,55

Модуль коэффициента передачи тока иа

высокой частоте (f=10 МГц)

1 гхь I

J,25

Граничное напряжение транзистора, Б:

КЭО гр

КТ943А

КТ943Б, КТ943Д

КТ943В, КТ943Г



Мансимально допустимые параметры. I арап TiipyiOTca при температуре окру

н аши1-й среды Го--45 65°С.

КЬгях -nocroi-Hiioe напря/(<е-ние коллектор - баа. В-КТ943А . . . . 45

КТ943Б . . 60

КТ943В, КТ94Г, КТ943Д . 100 - постоянное Hdnpfl/e-

нне эмиттер ~ баээ В . 5

,1 -постоянное напряжение коллектор - -jmh тер {Н Ш Ом или R , <

I кОм Сяаа=0,5 В) В:

КТ943А . .....45

КТ943Б, КТ943Д.....60

КТ943В КГ943Г.....80

к--r -импульсное напря-

жение коллектор - эмиттер {Ль 10 Ом). В.

КТ943А . . ,

КТ943Б .

КТ943В КТ943Г КТ943Д

/к mai - постоянный

лектора, А

50 75 100 80

ток кол-

К ц X - импульсный ток коллектора (/н==1 МС, QoO),

Б max П

постоянный ток базы. А

Ктах -постоянная рассеиваемая MouiHocTb коллектора, Вт 25 То mat. - температура перехода,

"С ......150

Допустимая температура окружающей среды, "С , , 4S...-85

В составе микрсслемы в диапазоне температур корпуса от -45j.j+25*C. При повышении температуры корпуса Oi 25 до пах5

- (150 - 7-fj)/5, где /?т п-к = 5° С/Вт

Разрешается исиольчование приборов в схемах кадровой развертки тел1# виэоров Б режиме = 10 мс, Q => 2 Прн этом / „ 3 Ai


20OQ

800 -

>

\ 1 i

3 u„

Ю9кЗГ-Л1в=10мА;КТ9т-1б5мА;



ИТ Hi ЗА,

/ /

~ / L

.5 1к,Д

Диапазон СВЧ


20 21 22

КТ904А, КТ904Б

Общие сведения. Кремниевые тянарно-эпитаксиальные п-р-«-транзисторы npeлjaзнйчeны для работы я схемах автогенераторов, усилителей мощное" i KB и ХЕДВ днапззовоБ и в других схемах иа частотах выше 100 МГц.

Корпус металлокерамический с жесткими выводами и моншжным еинюм (рис. П1.76). Масса транзистора не более 6 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П.2.4.

Электрические параметры. Классификационные параметры!





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 [ 168 ] 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217