Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 [ 150 ] 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

в 8,1 Qif S,S 0,8 Ui


2 t 6 8 l/,,,S

90 80 70 BQ SO kO 30

= 28

БЭнас

1 1




ртТПГП]И111111 II 1 ilijlll 11[ 20 2 г; 23 24 \

KT82IA-I, КТ821Б-1, КТЯ21В-1

Обшие сведения. Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные бескорпусные я-;j-«транзисторы предназначены для использования в ключевых й линейных неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры (ннрокого применения, имеюшнх герметичные корпуса или иную зашиту от действия влаги и света.

Оформление бескорпусное (рис. П1.72). Масса транзистора не более 0,02 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры!

HaiweHOBanii"

./бозна-ченн

Чьачснир

Ей О

<

С)братпый ток коллектора, мкА

Граничное напряжение транзистора i(.<300 мкс, 0>100), В:

КТ821А-1

КТ821Б-1

КТ821В-1

КЭО рр

6г 80

5U 50

! !апряжеиие насыщения коллектор- эмиттер, В

кЭ яас

0,18

Напряжение насыщения база-эмиттер, В

ЭР. ил

o,;i

в годное con ротнвле-ние транзистора в режиме малого сигнала, Оч

Статический коэффициент передачи юка в схеме с ОЭ;

КТ821А1

КТ821Б-1

KT82IB-I

?

5JO 500 500



Значения

Режимы нэмерення

Наименование

Обозначение

»»

га га ? 2

<

Ем кость эм итте р [[ого перехода, пФ

Емкость коллекторного перехода, пФ

Отношение

21Э так ilSmin

1...200

Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц

IOOO

Максимально допустимые параметры. Гарантируются прн температуре окружающей среды Гс = -40. .4-85° С.

К max -постоянный ТОК Коллектора, мА.......500

Б max

постоянный ток базы,

/к.июах - импульсный ТОК коллектора (tulQ мс, Ш), А.......1,5

при 100 Ом;

KT82JA-].......50

КТ821Б-1 .......70

КТ82Ш-1 .......100

постоянная рассеиаае-

п2) К max

ЭБ max - постоянное напряжение эмиттер - база, В . . 5

нне коллектор

при /г Б =0* КТ821А-1

КТ821Б-1

KT821B-I

эмиттер, В

40 60 80

мая мощность коллекгора, Вт..........10

Та max - Температура перехода, "С..........J25

Ят, д-ир - тепловое сопротивление переход - кристалл, CJBr ....., . 10

Допустимая температура окружающей среды, °С -40...-i-85

Допускается /ктах f А при условий непревышения мощности) г, Ч". «Р +25° О. Прн Гвр 25...85° С и наличии теплоотвода Кт.хВ-1™ 025- Т-ге11л)(10+Гир теш) ИЛИ Р {Вг1 = (125-Гкр)/10 без теплоотвода.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 [ 150 ] 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217