Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 [ 149 ] 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

0,8 0,6 ОЛ

-tH3= j

t t 4

9.Ч S.8 1,1 1,8 ZfiUbb

60 -

40 -

ZOhA

1 !

8 l/u.8

1,1 1,8

0.3 OM

КЗнИС,

¥ 1,6

1,1 Id

0,8 0.S 0,k 0,? в

5 при. IWA


0,5 10

5,0 10 Ij,A




iiiriTTTiiiTmiTT

тгттттгтттттттг

гтпт

1 * 1

20 э1

22 23

КТ820А, КТ820Б, КТ820В

Общие сведения. Кремниевые мезаэпнтакснально-планарные р-ft-р бескор-

пусиье транзисторы предназначены для использования в ключевых н линейных неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры широкого применения, имеющих герметичные корпуса или иную защиту от влаги и света.

Оформление бескорпусное (рнс. П1.72). Масса транзистора не более 0,02 г {без упаковки).

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры:

КЭО гр 21Э кБО- /гр-

Значения

Режимы ичмсрення

Нанмеповаине

Обозначение

§

<

<

<

Обратный ток коллектора, мкА

Граничное напряжение (/j,=300 мкс, QIOO), В

КТ820А

КТ820Б

КТ820В

КЭО гр

40 60 80

50 50

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

КЧ нас

0.18

Напряжение насыщения база-эмиттер, В

ЪЭ нас

I ,2

Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом

8-10-

Граничная частота коэффициента передачи юка в схеме с ОЭ, Л1Ги



Значения

1ежиль

и (мерен ия

Наименование

Обозначение

Ь □

п я £ s

<

<

Статический коэффи циент передачи тока в схеме с ОЭ;

КТ820А

КТ820Б

KT82GB

40 40

60 60 60

2 2 2

150 150 150

Емкость коллекторного перехода, пФ

0,465

Емкость эмиттерного перехода, пФ

0,465

Отношение

2 и max 21 ) И11П

Максимально допустимые параметры, жаюшей среды Гс=-40... + 85°С.

к max - постоянный ТОК КОЛ-

лектора, мА.......500

в max - постоянный ток базы, мА..........300

к, и mas - импульсный ТОК КОЛ-

лектора (?и iO мс,

>100). А.......1,5

эБ max -постоянное напряжение эмиттер - база, В , . 5

КЭдтах - постоянное напряжение коллектор - эмиттер (R Б <100 Ом), В;

КТ820А ,.......50

КТ820Б ........ 70

КТ820В........ 100

Гарантируются при температуре окру-

КЭО max - постоянное напряжение коллектор - эмиттер. В:

КТ820А....... . 40

КТ820Б ........ 60

КТ820В........80

Ктох - постоянная рассеиваемая мошность коллектора, Вт .........10

Тп швх - температура перехода,

т. и-кр - тепловое сопротивление переход - кристалл, °С/Вт ........Ш

Допустимая температура окружающей среды, С ..- -40...+85

Допускается /к max условин непревышения мощности. При Гк<25сПри Г„ = 25...85-С 1 Вт] = (125 -Т-еплУО-Ь

f Т,«р тспл). W г. ,<р-тепл - тепловое сопротивление кристалл -тепл: отвод.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 [ 149 ] 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217