Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 [ 144 ] 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

НГ8ПВ

8 S 4

f=tMCu,

г

f=woru.

ч

о 0,5 f 1,5 г 2,5 Jk./I о

8 1„А


КТ8!4А, КТ814Б, КТ814В, КТ8МГ

Обшие сведения. Кремниевые эпитакснально-плаиарные р-д-;-транзнстп-ры предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах, бликах аппаратуры.

Корпус пластмассовый (рис. П1.73). Масса транзистора не более I г. Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры]

Л21Э. кэо гр-

Наименование

Обозва* оенве

Значепвя

Я V.

ц л.

Режимы измерен!

Обратный ГОК коллектора, мкА

при Т-40... + 2Ь°С при Г« = -ЦОО°С

0,4 3

50 1000

40 40

Граничное транзистора Q>100), В: КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г

напряжение (ГиЗОО ыкс,

25 40 60

50 50 50 50



Наименовая не

Обозн & чение

Значен И1!.

Режимы измерен ня

x ч s та s S

а: ч

<

<

<

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

КЭнэс

Напряжение насыщения база - эмиттер, В

БЭ пас

Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ;

КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г

при T„ + WO°C: КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г ,

при Гс=-40°С: КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г

40 30

30 20

70 70

150 150

150 150

150 150

Граничная часто fa коэффициента передачи юка в схеме с ОЭ, МГц

Емкость эмиттерного перехода, пФ

при t/э =0,5 В

Емкость коллекторного перехода, пф

Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре кор пуса Г«=~40...-1-100С.

к ta.»i - постоянный ток коллектора, А.......1,5

t.«mas - импульсный ток кол-

JiCKTopa (#и 10 мс, Q , 100), А 3

Эб max - постоянное напря- Женне эмнттер - база, В 5

б max -постоянный ток базы,

А ..........0,5

КЭО max - постоянное напряжение коллектор - эмнтте[ (/в=0),В: -

КТ814А 25

КТ8МБ........40



КТ814В 60

КТ814Г ........80

КЭшах -Постоянное Напряжение коллектор - зм иттер {Rb 100 Ом), В:

КТ814А......, . 40

КТ814Б ,.......50

КТ814В.......70

КТ814Г ........100

Ктах -постоянная рассеивае-vtaH мощность коллектора,

Зт.........10

То же без теплоотвода . 1,0

Тп max - температура "С.....

перехода, . . . -I-125

Допустимая температура окружающей среды, "С . -40.. -)-100

* При = 25° С. При повыщении температуры корпуса 25° С .,100° G мощность уменьшается липеино на 0,1 ВтЛС; к: max теплоотвода при увеличении температуры выще 25° С уменьшается линейно на 0,01 Вт/° С,

HrSlf,H7Sj5

--гв

о 0,1 0,k 0,6 Сб,


-i 1 r 1 1 fl

.....1

.......

1 1 1 1 Ml

кэнас.

0,3 ОЯ 0.1 О





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 [ 144 ] 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217