Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 [ 14 ] 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Нацмен Ji* i iic

1 )C(>J il-eHiie

Сопротивле[ше открытою -«люча, Ом:

KT1I8A, КТ118Б

КТ118В

КТ118А, КТ118Б КТ118В при Гс = + ]25=С: КТИ8А, КТ118Б

ктивв

при Гс = -60° С; КТ118А, КТ118Б КТ118В

100.

120 20 40

50 80

2 2 40 40

40 4Э

4 40

2 2 20 20

20 20

20 20

Падение напряжения на открытом ключе, мВ:

KTilSA, КТ118Б

KTiisB

при Гс= + 125°С:

0,15

0,5 0.5 0,5

Напряжение на управляющих переходах, В

Относительная асимметрия сопротивления открытого ключа, %

Время выключения,

Го -сопротивление, измеренное между эмиттерами при рабочих токах а Б о = (fo3M ±fo)/3 гД изм-падение напряжения между элшттерамн 1и2. -сопротивление нагрузки. 3 Тю ,же при /g + /g = i,5 мА.



10 •

1-дпя одной, структуры г-при парал ЛЕЛЬ ном вьпючемии обеих " струитур

В, Б

0,8 и,,,8


10 ги 30 Удэ,

100 50

1 ,

h.-h.y о . V 10 15 h,%,fiA

КТ120,\. КТ120Б. КТ120В

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р-транзисторы предназначены для использования в герметичных гибридных интегральных микросхемах для калькуляторов типа «Электроника 24 70».

Оформление бескорпусное (рис. FllJ) Масса транзистора не более 20 мг.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры. Классификационные параметрыа

/121». кБ

Режимы измерения

.бозяа ченяе

я л Е

а га

. о я я

%i 1%

<

Обратный ток коллекто Ра, мкЛ;

КТ120А, KTI20B КТ120Б

0,5 0,5

10 0



режй\?ы

МрС lis

llaHven,)BaHhe

OCo3Hd-чение

к а л м Ч

3 «

<

<

я.

Обратный ТОК эмиттера, КТ120. КТ120В

Коэффициент передачи тока в режиме чалого сигнала в схеме с ОЭ КТ120А, KTI20B

50...

1000

Напряжение насыще ния коллектор - эчиг-гер. В:

КТ120А

КТ120В

КЭ нас

10 17

Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц-КТ120А КТ120В

Емкое: ь коллекторного перехода. пФ KTI20A КТ120В

>

3. 10»

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Гс=-~10.-f65C,

кэ/fmax -постоянное напряжение коллектор - эмиттер {R. кОм), В:

КТ120А, KTi20B.....60

КБ та< ~ постоянное напряжение коллекшр - база, В.

КТ120А, КТ120В.....60

КТ120Б . .....30

Ь max постоянное напряжение Э{}у\пст - база, В

КТ120\, КТ120В . ... 10

ша1 - 11 кгоянный ГОК ьоллек тора, мА........10

/к н mas - импульсный ТОК Коллектора (/в40 мкс, Q>9). мА ...

max - постоянная рассеивае мая мощность коллектора, м В г

Я„ па, - нмпульснад рассеиваемая мощность транзисюра (/„=40 мкс, Q9), мВг. КТ120А, КТ120В . ... КТ120В . . .

Т„ тая - гемперагура перехода. "С . .

Допустимая темпера гура окру жающей среды, "С ... -10 ... +05





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 [ 14 ] 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217