Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 [ 139 ] 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217


тттттттттруптуттгртт!

КТ805А, КТ805Б

Обшие сведения. Кремниевые мезапланарные п-р-п-транзисторы предназначены для работы в строчной развертке телевизоров, в системе зажигания автомобильных двигателей и других схемах.

Корпус металлический, герметичными, с жесткими выводами {рнс. П1.68). Масса TpaH3ijCTopa ие более 24 г. Масса накидного фланца не более 10 г.

Условия эксплуатании - в соответствии с табл П2 2

Электрические параметры. Классификационные параметры:

КЭК, и КЭ нас- "ВЭ нас"

Накчвнование

Обозна-чение

Значения

Режимы измерения

11 о

<v 1 о

я в! u л

< к

<

Импульсный обратный ток кол.1ектор - эмиттер Ом), мА;

КТ805А

КТ806Б прн 100° С-

КТ805

КТ806Б

k3R, в

60 GO

70 70

160 135

1G0 135

Обратный ток эмиттера, мА

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер В:

КТ805А

КТ805Б

КЭ нас

2,5 5

),5 0,5

Напряжение насыщения база - эмнттер, В;

КТ805А

КТ805Б

БЭ нас

2,5 5

0,5 0.5

Модуль коэффициента передачи тока (/=10 МГц)

1 Лиэ 1

-татический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при 7"„=-60"С

15 5

Максимально допустимые папаметры. Гарантируются при температуре корпуса Т« = -60... + 100=С.

/к шах-постоянный ТОЛ КОЛ- bmas -ПОСТОЯННЫЙ ТОК бЭЗЫ,

лектора. А,.....,5 А ..........2



/к.ишаг-импульсный ток коллектора (ta200 мкс, Q =

=3/2). А........8

в.ипих -импульсный ток базы Ьв20 мкс), А.....2,5

-ЭБ max - ПОСТОЯННОЙ папряже-

нне эмиттер - база, В . , 5

Кя птах -импульсное напряжение коллектор - эмиттер {и-500 мкс с фронтом нарастания ф15 мкс н fiij=z

-10 Ом), В-

КТ805А........160

КТ805Б........135

К max

постоянная рассеиваема я мощность коллектора (fSOC), Вт.....

Тп max - температура С , . . . .

перехода.

Ят.д-к - тепловое сопротивление переход-корпус, "С/Вт 3,3

Допустимая температура окружающей среды, "С . -60...-f 100

В схемах строчной развертки телевизора допускается обратное импульсное напряжение между базой и эмиттером 8 В при ta < 40 мкс.

Для транзисторов типа КТ805А в схеме строчной развертки телевизора допускается импульсное напряжение коллектор - эмиттер 180В при Тк < 70" С, 15 мкс При Гк 70 150°С напряжение уменьшается на 10% нэ каждые 10° С от значения напряжения при 100° С

) П\и Г„ = 50 100 С [Вт] = (150 - Г„)/3,3

U.MA 1.8

1.0 0,8 0,6 0,4

- tk3

itl

--7ЛС

3 8 7

5 4 3

0 3,S 1,0 и..8

Z 6 в 10 it n Ui,8

,ht3 50




17 13 19

ГТ806А, ГТ806Б, ГТВОбВ, ГТ806Г,

ГТ806Д

Общие сведения. Германиевые сплавно-диффузионные р-п-р-транзнсторы предназначены для работы в схемах мощных импульсных усилителей, в преобразователях и в другой аппаратуре.

Корпус металлический, герметичный, с жесткими выводами (рис П1,б8). Масса транзистора не более 28 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационный параметр?

Значения

г-ржимы измерения

Наименозание

Обозна-чевне

<,

•к -»

Обратный ток эмиттера, мА

Обратный ток коллектор - эмиттер при запирающем смещении, ьаА

при = -Ь ЪЬ" С ари Та--55* С

кэ X

15 30 15

КЭ max То же То же

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

КЭ нас

0,25

Напряжение насыщении база - Эмиттер, В

БЭ нас

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ыа границе насыщения

при Г„=-1-55°С

при 7к=-55°С

*21Э

10 10

100 200 100

0 0 0

10 5 10

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре корпуса Ги=-55.„-1-55°С.

Vae»c - тон коллжтора в режи we насыщения, А .

Б шах -постоянный ток бааы, А . . ,........3

КЭХтах -постоянное напря-ние коллектор - змиттер закрытого транзистора, Bi ГТ806А ........ 75





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 [ 139 ] 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217