Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 [ 138 ] 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

к wax -постоянная рассеиваемая мошность коллекгора (Г„=-25,..+25С), Вт , , 50 Tl, тях - температура перехода, "С..........150

rt, п-к - тетовое сопротивление переход - корпус, "С/Вт........2.5

Допустимая температура окружающей среды, "С . -25...100

В строчной развертке допускается импульсное напряжение эмиттер- база до 6 В.

> При Тп - 100° С. При Ти = ~ 100...150° .С напряжение уменьшается линейно на 10% на каждые 10° С,

При температуре корпуса более 25Х Р; max = (7"д max-ТкУт. п-к: Для приборов с государственным Знаком качества в диапазоне температур Г„= 45...-Ы00С /кБ,.ах= SO в.

Длн приборов с государственным Знаком качества tq- - 45...-ЬЮСС,


--

1-1-

) £/бЭ,й О Ш 20 30 1/0 50 и,

3 и




тттггт

КТбОЗА

Обшие сведения. Кремниевые мезапланарные п-р-п-транзисторы предназначены для работы в схемах усилителей мощности, генераторов, а схемах переключения к в другнх схемах.

Корпус металлический, герметичный, с жесткими выводами (рис. П1.68). Масса транзистора не более 22 р (без накидного фланца). Масса накидного фланца не более 12 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры!

Значрния

Режимы измеренкр

Hdименование

Обозна чение

г о а я

<

<

<:

Обратный ток эмиттера мА

Обратный ток коллектор - эмиттер, мА

Напряжение насыщения коллектор - эмигтер, В

КЭ нас

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/а» 10 МГц)

( ftaiB 1

Статический коэффициент Передачи юка в схеме с ОЭ

Статическая крутизна пря-

ло "Р*=дзчи в схеме с ОЭ, А/о



Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре корпуса Г„=-60...+ 3£)0С

( Ui, =2 В, Ги=10 мс), В . 80

/в mai - постоянный ТОК КОЛ-

лектора, А .......

-эБтах -псютоянное напряжение эмиттер - база, В . .

*КЭ л inax - постоянное напря-ние коллектор - эмиттер {Rp <100 Ом), В . . . . То же для транэнстороэ со знаком качества.....70

fKB нтах -кмпульсное напряжение коллектор - эмиттер

Ктях -постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Г„=~60...+50С), Вт . . 60

Ги шах - температура перехода, °С.........150

R4, и-и - тепловое сопротивление переход-корпус, "С/Вт 1,66

Допустимая температура окружающей среды, °С . -60...-ЫОО

" При Гд > 100" С бкэ уменьшается линейно на 10% на каждые ЮС При длительности импульса не более Ю мс и коэффициенте заполнения пе более 0,5

При Г„>50°е Ркшах [Вт] = (150 - Г«)/Ят,п-к


20 30 но 50 Ujo,e

10 1,S

<

г

г

50 ко

£ }ц,А о 12 3 4 5 и,А

ш ч 1





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 [ 138 ] 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217