Главная Журналы
io -zo. 0 zo чо so r. wo m f.fifa
5 ;y Г5 zo ?5 £, КТ607Л-4, КТ60ГБ 4 Общие сведения. Кргмниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транэисто-ры предназначены для использования s неремоятйруемыл г; брядных схемах ге-перировання ц ycHaeiiHv ошпости СВЧ диапазона, чикргу >) я\, узлах и блоках, ямеюпчх герметичную защиту от действия света, влаа), агрессивных сред, соляного тумана, плесневые 1рибков. Оформление бескорпусное, на негерметичном керамическом основании (рис П1.59). Масса транзистора не более 0,17 г Условия эксплуатации-в соответствии с табл. П2 2. Электрические параметры. Классификационные нарамегрыз Наим iroBdiiiie Обозна. чение Значения Р жимы измеое] ня Обратный ток коллектора, mAi КТ607А-4 КТ607Б4 при 7с = +85°С: КТ607А-4 КТ607Б 4 яри 7с=-45°С: КТЬОГА 4 КТ607Б-4 40 30 Обратный ток эмиттера, ыкА при Гс=+&В°С при -45° С О 02 Модуль коэффицпепта передачи тока на высокой частоте Постоянная еремени цепи обратной связи на высокой частоте, пс: КТ607А-4 КТ607Б-4 !8 25 10 10 30 30 Выходная \ош,носгь (медианное значение), Вт КТ607А-4 (/„,=0.4 Вт) КТ607Б-4 (/□iO.S Вт) 0,6 1,0 0,6 1 О 1,2 1,2 20 20 !03 103 Коэффициент усялеипя по мощности (медна1И1ое jnaueHne); КТ607Л-4 (Рех = 0,4 Вт) КТ6075-4 (Рп = 0,5 Бг) НО 110 10 10 Коэффициент по,-1еаного действия коллектора (медианное значение), КТ607А-4 (Яах=0,4 Вт) КТ607Б-4 (Рви=0,Ъ Вт) 45 45 2> 10 103 Емкость -коллекторного КТ607Л А КТ607Б 4 перехода. 10 !0 Максимально допустимые параметры. жающен среды Тс=-4о...-\-ЪЪ° С. /к таз - постоянный ТОК КОЛЛеК- тора, мА.......150 КБ max - постоянное напряжение коллектор - база Bj КТ607А-4 .......40 КТ607Б-4 .......30 KSRjmax - постоянное напряжение коллектор - эмнттер («ь =!0 Ом), В: КТ607А-4 .......35 КТ607Б-4 .......30 ЭВтах -постоянное напряжение эмиттер - база, В . , .4,0 В . интервале Тподп 40...85° I подлУт, п-полл Гарантируются прн температуре окру- 1 max - постоянная рассей ваемая мощность коллектора Вг при гп<,дл = -45. .-Ь40°С, при гпода = -Ь85=С . . . Тп mas - температура перехода О . . . . d к . . . Дг, п-подл - тепловое сопротиб лепие переход - подложка °С/Вт...... Допустил(ля температура oi;py жающей среды, " С , .-45„ ср шах IBtJ - (150 - 1,5 0,89 73 4-85 0,2 0.5 53,8 W 25 У„э,г KTOJOA, КТбЮБ- Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные rt-р-п-транзнсто-ры СВЧ предназначены для работы в аппаратуре связи н в радиотехнической аппаратуре. Корпус керамический, с полосковыми выводами м монтажным винтом (рнс П1.60). Масса транзистора не более 2 г. Условия ?ксп1уатацйч •- в соответствии ч табл, П2.2, 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 [ 124 ] 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |