Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 [ 123 ] 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217


HTC631B,HK63fB-Ii,=1QHA

НТСЕ31А КТСВ31Г

"\

т гт т чт ш 1„,мл


7 = 10 J

гт т т ш /„.мЛ о 50 joo Г50 гоо 1к,"Л

> Диапазон СВЧ


ITTTI

23"

КТ606А, КТ606Б

Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто-ры предназначены для применения в мошных автогенераторах с внешним возбуждением, умножителях частоты (выше 100 МГц).



Корпус металлокерамический, с монтажным винтом и жесткими выводамв (рас. П1.58). Масса транзистора не более 6 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4,

Электрические нараметры. Классификационные параметры;

Наименование

Обозна-вевне

d(faiiei.Hi

Режимь tiJ"- ер m

а:

я а о л и ч

и, В

< й

<,

Критический ток транзистора, мА

Обратный ток эмиттера, мкА

Обратный ток коллектор - эмиттер (?Е100 Ом), мА

при 7с=+85°С

при Гс=-40°С

1,5 3,0 1,5

60 60 60

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте:

КТ606А

КТ606Б

3.5 3.0

10 !0

!С0 ЮО

Емкость коллекторного перехода, пФ

£к-=28 В

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс:

КТ606А

КТ606Б

10 10

30 30

Выходная мошность, Вт; КТ606А

КТ606Б

0,8 0,6

1,3 1,

£к=28 В

400 400

Емкость эмиттерного перехода пФ

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-Жающей среды Го=-40...-t-85С,

/к mai - постоянный ТОК КОЛЛек- uq - ПОСТОЯННОе НапрЯЖС-

тора, мА........ 400 ние эмнттер - база, В . . 4

Б max - постоянный ток базы,

......... 100 ujis max - постоянное напряже-

/к, и mai -импульсный ТОК КОЛ- ниб коллсктоп - бзза, В . . 60

лектора, мА 8оО



КЭдгях - постоянное напряже-ние коллектор - эмнттер (й 5=100 Ом), В . . , 60

Kd, итак -импульсное напряжение коллектор - эмиттер, В........70

къ.ятан - импульсное напряжение коллектор - база, В . 70

Кр та -средняя рассеивае-маг мошкость коллектора в динамическом режиме (Гв= -40" с), Вт.......2,5

i При Гц = 40...85" G

ар шах

fmin минимальная рабочая частота транзистора, МГц . .100

Та тех -температура перехода, С..........120

7"в так -температура корп>са,

С......> • . • 85

Вт. в-к - тепловое сопротивление переход-корпус, "С/мВт 44

Допустимая температура окружающей среды. "С , -40,„-1 35

[Вт] =• (120 - tfd/Hv, п-к.

10 8 В

10 В

т гио

ыоомщ

ч

5 \о г? го Z5 "143,5

30 10

ffl т 150 200 Ц,ЦА в 100 209 300 1,нА





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 [ 123 ] 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217