Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 [ 122 ] 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217


llll"llilll{niIIUINInililll]llll!!II. .Э го 2Х 22 23 34

KTC63IA, КТСе31Б, KTC63IB, КТС631Р

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-плаварные п-р-п-транзистор-ные матрицы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин и другой аппаратуре.

Корпус металлический, герметичный, с жесткими выводами {рис. П1.56, б). Масса матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных -транзисторных структуры.

Усповня эксплуатации - в соотве1Ствии с табл. П2.4. \

Электрические параметры. Классификационные параметры)

ЭБО.

Наименование

Обозначение

Значен HiF

<

Обратный ток коллектора, мкА:

КТС631А, КТС631Г

КТС631Б, КТС631В при 7c=-b85"Ci

КТС631А

КТС631Б

КТС631В

КТС631Г прн Го=-45Сэ

KTC63IA, КТС631Г

КТС631Б. КТС631В

КБО

0,3 0,3

200 50

1000 500 500

1000

200 50

КБ тал

20 20 10 10

КБ max

Обратный ток эмиттера,

мкЛ:

при fc-t-SSC при Го=-45Cs

100 500 100

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В} КТС631А, KTC631F КТС631Б, KTC63IB

КЭ нас

0,3 0.21

1,2 1,2

450 100

45 10

Напряжение насыщения база - эмиттер, В: КТС631А, КТС631Г

КТС631Б, ктсезтв

0,9 0,8

450 100

45 10



Наимеиование

Обозначение

Значения

Режимы изме1;-н11н

• О

<.

<. s

Ста Г нчески Й коэфф н ц н-ент передачи тока в схеме с ОЭ КТС631Л, КТС631Г КТС631Б, КТС631В

20 20

300 150

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц: КТС631А, КТС631Б

ктсезш, КТС631Г

350 200

10 10

[00 100

Время рассасывания, не: КТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС631Г

7,5 20

30 60

Емкость эмиттерного перехода, пФ

Емкость коллекторного перехода пФ

Плавающее напряжение эмнттер - база, В: КТС631А. КТС631Б КТС63)В, КТС631Г

0,05 0,05

Постоянная временн цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры- Гарантируются при температуре окружающей среды То=-45...-1-85" С.

/к mas - постоянный ТОК коллектора, А:

КТС631А. КТС631Г .... 1 КТС631Б, КТС631В .... 0,3

/к, и шах - импульсный ток коллектора (/<10 мкс, 50), А;

КТС631А, КТС631Г .... 1.3 КТС631Б, КТС631В .... 0,5

.Квтах -постоянное напряже-

ние коллектор - база, В при Гс=-45...-Ь70С КТС631А, КТС631Б . КТС63Ш, КТС631Г ,

30 60

при Гс= -f-SS"С: КТС631А. КТС631Б . , , . КТС631В, КТС631Г ....

КЭК max - постоянное напряжение коллектор - эми1тер, В при Гс=-45...-1-70°С} KTC63JA, КТС631Б .... КТС631В, КТС631Г , . . .

при Гс = -1-85°С: КТС631А, КТС63Ш .... KTC63IB, КТС631Г ....

эп max - постоянное напряжение эмнпер - база, В . , . 4

§4 50

30 60



Рк msi - постоянная рассеиваемая мощность на транзисторной матрице Вт при 7-<,=-45 +55" С) . , прн Гс =+8501. 3) , , . . а тат - ичпульсная рассеи-ваемая мощность на транзисторной матрице, Вт

при Гс-45 . + 55С*> i 4 8 при Го="+85°С»> К КТС631А, КТС63!Г .... 1 5

г КТС631Б, КТС631В , . . . о.э

0,5 Та max - температурз перехода,

"С . . . 120

Допустимая температура окружающей среды, °С . -45,m-t-85

Г.м4


) Pg одной транзисторгой структуры не должна превышать 0.7 Вт (для групп А,Г) и 0.3 Вт (для групп Б,В)

) Pj одной транзисторной структуры не должна превышать 0,2 Вт (для групп А,Г) и 0,15 Вт (для гр}пп Ь В)

3) В диапазоне Г = 55.. .85°С мощность уменьшается линейно

Р„ aj( одной транзисторной структуры не

должна превышать 2 ! Ът (для групп А,Г) и 0,9 Вт (для групп Б,В).

pR max одной транзисторной структуры не должна превышать 0,6 Вт (для гр}пп А,Р) и 0,45 Вт (для rpjnn Б,В),

НТС63Ы.НТС63)

Гг.и4


КТС631Б, НГШ1В

600 500 iiOO 300 200

100 О

о* 1.4

Z * е й ijoJ





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 [ 122 ] 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217