Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [ 115 ] 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

Rr п-к -тепловое сопротивление переход - корпус, С/Вт .......

Rj, п-о - тепловое сопротивле-

ние переход - окружающал

среда, °С/Вт......125

60 , Допустимая температура окоу-

жаюшей среды, "С . -45...+85

При повышении температуры перехода от 70 до 120" С напряжение умень-Шается линейно.

В диапазоне температур 50...85** С

Ктах ШгЬ0.24-(85 -Гс) ?.1,„а, Kmsx ОДНОЙ транзисторной структуры пе должна превышать 0,5 Btj При условии, что средняя мошность не превышает значения для

данной температуры окружающей среды.

К, и max °Д"°й транзисторной структуры не должна превыпшть 2 Вт*

„д уменьшается линейно!

Ё) Р

В диапазоне температур 50iw856 Р

h,HA

=10

гоо-m

i -J

0,4 Оф 0,8 1,0 Ub3.4

0 5 10 5 -20 гз Зй Utt3,B = 1,5н/\,ПШ13Г-й1ъ=10иА




-

*

f-lOOHf

1 1 1 1

5 10 15 to 15

V WO m wo 1цМ


гОО 380 Ш h,nA


-40 20



.TiiiibNJji;iiMiiniKm,ji!iir

S9 21 §й 4

ктб1ел, КТ616Б

Общие сведения. Кремниевые, чпитаксиально-планарные те-«-транзисторы предназначены для использования в ЭКВМ «Электроники-70», вЭлектрони-ка-70Л1» и б других модификациях этих машин.

• Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1Л1). Масса транзистора не более 0,6 г.

Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.

Электрические параметры. Классификационные параметры;

21Э» КБгпах

значения

Режимы измерения

Наименование

Обозна-

чеане

я д я f; а

и Л Х Ч

я га

< г

<

<

Обратный ток коллектора, мкА прн Тс = +В5°.С

15 25

10 10

Обратный ток эмиттера, мкА

Обратный ток коллектор - эмиттер (/?Б 10 кОм), мкА

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

КЭ нас

Напряжение насыщения база- эмйттер, В

БЭ нас

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

i 1

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ;

КТ616А

КТ616Б

при 7с=+85°С5 КТ616А X КТО 165 при 7с=-40°С! -КТ616А

КТ616Б >

40 25

20 8

85 70

500 500

500 500

500 500

Ьремя рассасывания, исз КТ616А КТ616Б

50 15

150 150

15 15





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [ 115 ] 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217