Главная Журналы B,if 0,В 9,8 1,0 и. K16CJA,HIE938 тОЗй 1ьЧ5/чА,тШ К тЗГ, Н !SOJ[, к 1тИ-й h = 0,1мА
hM о . /00 100 <f,»A н тзА, н гбоз5,нгш8 и тзг,шозп, н тдв. -1150мА,НТти-и=359пА mjiiiiM ijiii ll4iir[iiiijiiiiiii 19 70 ?i 2? эз KT604A, КТ604Б Общие сведения Кремниевые планарные ге-п-трянзистопы предкаэна"е-ны для работы Б схемах переключения, релаксационных генераторах, усилителях напряжения, стаби пизаторах напряжения и других оемах промышленной аппаратуры широкого применения. Kopnjc метал.-ический, герметичный, с гибкн.ш выводами (рис. П1.54,й). Масса транзистора не более 5 г. 62 i Условия эксплуатации - в соответствии с табл П2 2 Электрические параметры. Классификационные параметры!
Максимально допустимые параметры /к шйх - постоянный ток коллектора (Го-40...+ 100°С). мА .........200 К-йгпая - постоянное напряжение коллектор - эмиттер {R 1 кОм), В при Гс»-40...+ 100*С . ,250 , при Гсс= + 150С.....125 КБт л -постоянное напряжение коллектор - база, В при Го = -40..+ 100°С . , .300 при 7в= + 150С.....150 ЭБ так - постояиное напрялче- нне эмиттер - база, В при Гс"-40 +100° С , . 5 при 7с=+1о0°С.....25 ктак -постоянная рассеивае мая мощность коллектора, без теплоотвода при Ь = -40 +25" С ... 08 прн 7"о= + 100"С .... .033 с теплоотводом прн То----40 ..+25= с . . . 3 прн Тг = + \ОСГС.....1,25 Тп шаг -температура перехода, "С..........150 Rt. п-и - тепловое оопротивле- ние переход - корпус, СВт 40 Rt. п-в - тепловое сопротивление переход - окружающая среда, "С/Вт......150 Допустимая температура окру-ж:аюшей сред>!, °С .-25..+ 100 " При новышенин температуры перехода от 100 до 150Х напряжен-не уменьшается на 10% на каждые 10" С. ) В интервале температур окружающей среды :5..il00°G Ктах tl = (150 - Tf.) /Rt п-с, интервале температур корпуса 25,1.100 G Ркшах 1ВтН{150-Г„}/«,д «, [П111П1[ 11[1г111Ч141М1гт 19 20 21 22 п КТ605А, КТ605Б Обшие сведения. Кремниевые планарные п-р-п-транзиеторы предназначен ны для использования в схемах переключения, релаксационных генераторов, уси* лителей напряжения, стабилизаторов напряжения и в других схемах аппаратуры. Корпус металлическнй, герметичный, е гибкими выводамв (рнс. П1.1, о). Масса транзистора не более 2 г. Условия эксплуатании-8 соответствии с табл. П2.4. Электрические параметры. Классификационные параметры!
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 [ 108 ] 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 |