Главная  Журналы 

[ 0 ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217

транзисторы

В настоящее время отечественной промышленностью выпускается большое количество биполярных и полевых траизнсторов различных типов н назначения. Разработчику радиоэлектронной аппаратуры приходится выбирать нужные ему по электрическим параметрам и эксплуатационным режимам транзисторы из большой номенклатуры.

Транзисторы выпускаются на мощности 20 мВт и. 250 Вт с граничными частотами 0,1 МГц 8 ГГц, с максимально допустимыми 1[эпряжеииями на переходах 0,3 lii 1500 В и токами 5 ыА ...

Таблица 1

Первый элемент обозначения транзистора

50 А, с уровнем собственных шумов 3 20 дБ. Они могут быть в корпусах, обладающих тепловым сопротивлением 1,0 200 ,"С/Вт, а также без корпусов в виде отдельных кристаллов с тонкими выводами или в виде кристаллов, смонтированных иа плате и герметизированные пластмассой.

Классификация [ранзисторов отражена в их условном обозначении (маркировке) и содержит определенную информацию об их свойствах [1-3]- В зависимости от назначения и используемого при изготовлении транзистора полупроводникового материала в его обозначении указывается соответствующая буква или цифра - первый элемент (табл. 1).

. Таблица 2

Третий элемент обозначения транзистора

Материал полупроводника

Для устройств

широкого применения

специального назначени.ч

Германий

Кремний

Арсенид галлия

Транзистор

Обоанвче н;!е

Малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока:

не более 3 МГц (низкой частоты) 1З...ЗО МГц (средней частоты)

более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты) Средней мощности (0,3... 1,5 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока:

не более 3 МГц (низкой частоты)

3...30 МГц (средней частоты)

более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты! Большой мощности (более 1.5 Вт) с граничной часютоп коэфф1цн-ента передачи тока:

не более 3 МГц (низкой частоты)

3...30 МГц (средней ,частоты)

более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты)



Таблица 3 Третий элемент обозначения транзистора

Мощность, расс-еияаемая тра!1зигтором, Вт

Граничная частота коэффки,нйнта передачи тока, МГц

до 30

30.. .300

авьгше 300

До 1 Свыше 1

Второй элемент обозначения (буква Т или П) определяет принадлежность транзистора соответственна к биполярным или полевым приборам. Третий элемент обозначения определяет назначение транзистора с точки зрения частотных и мощностных свойств (табл. 2).

Четвертый и пятый элемент обозначения указывают на порядковый номер разработки данного тина транзистора и обозначаются цифрами ог 01 до 99.

Шестой элемент обозначения (буквы от А до Я) показывает разделение транзисюров данного типа на группы (подтипы) по классификационным параметрам. Например, транзистор КТ903А - кремниевый, биполярный, мощный, высокочастотный, номер разработки 03, группа А с классификационным параметром /1213 от 15 до 70,

Следует иметь в виду, что в обозначения транзисторов иногда вкрадываются ошибки из-за неправильного определения их Частотных или мощностных свойств, Так случилось, например, с ириборами типа КТ104А--КТШ4Г или ГТ906А, ГТ906М и др. В данном справочнике такие приборы, размещены по принятому принципу, т. е. по фактическому значению рабочей частоты и мощности рассеивания или отдаваемой MoutHocrn.

В настоящее время вводится новое, се.чнэлементное обозначение транзисторов, отличающееся от существующего трехзначным номером разработки. Несколько иная будет зависимость третьего э-пемеита обозначения транзисторов от мощности и граничной частоты (табл. 3). Например, КП7235Г означает: кремниевый полевой транзистор с граничной частотой до 30 ЛГц и рассеиваемой мощностью больше 1 Вт, предназначенный для устройств широкого применения, номер разработки 235, группа Г.

1.2. КОНСТРУКЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Корпус полупроводникового прибора предназначен для изоляции кристалла с переходами от воздействий внешней среды, обеспечения механической прочности прибора и отвода тепла, выделяюще1"ося на переходах при работе прибора. Кроме того, корпус соз.тает удобства при монтаже прибора в электронную аппаратуру.

Кристалл полупроводникового прибора с переходами особенно чувствителен к воздействию влаги, поэтому для подавляющего большинства полупроводниковых приборов требуется lix полная герметизация. Существующие способы защиты поверхности полупроводника лаковым покрытием или окиснымн пленками оказываются недостаточными, чтобы оградить его от механического повреждения и проникновения вредных примесей из окружающей среды. Проникновение внутрь корпуса даже [шчтожного количества влаги вызывает изменение характеристик полупроводниковых приборов. Наружная часть всех применяемых для полупроводниковых приборов корпусов состоит из двух частей: 1[ожки и колпачка (бдллона). соедн!1яемых между собой различными способами, обеспечивающими полную герметизацию внутренней области прибора.

Полупроводниковые приборы выпускаются главным образом в металлостск-лянных и металлокерамическнх корпусах. Но существуют и пластмассовые корпуса, которые получаются злпрессоаян!(ем кристалла прибора в (/.тлстмассовую оболочку. Основное их преимущество - малая стоимость и простота технологического процесса запрессовки.

Применяемые в промышленности корпуса получают, как правило, спаиванием металлических деталей со стеклянными или керамическими изоляторами. Качество этого спая должно быть очень высоким, так как его разрушение привода к разгерметизации приборов. Если применяемые в корпусе металлы и изо-





Рис. I. Конструкция мапомошнпго транзистора:

/ - кристалл; ? - колдачок; 3 - внутренние выводы; 4 - кристаллодержатель; 5 - стекло-изолятор; 6 - фланец; 7 - внешние выводы

Рис, И. ftopiijc TpaHiHciopd средней ««Щ* цости



Гкс. 9. Крепление кристалла к ножке срн Сяс 4. Крепление кристалла пепосредстветю

номащи кр«сталло:1ержателя- к фявдиу иожкн;

/ - ножки 2 - электрод эмиттера; 3 - кри- i - нпжкв, i - члектрод коллектора; 3 - кра-

:7аллодержатель; 4 - кристалл; Ь - ъяш- Стяллолержэтель; 4 - »лектрод эмиттера;

трод коллектора; 6 - вывод 5 - вывод эмиттера: 6 - кристалл

лйторы значительно различаются по тепловым коэффициеь [ зм р-дСиириия, появляются большие напряжения в конструкции корпуса и ияоляюры растрески-рются Чтобы исклк>чнгь появление больших напряжений в корпусах, создают такие «инструкции, коюрые допускали бы небольшие деформации элементов,





[ 0 ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217