Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41

Назначение вывода

Номер вывода

Номер кодовой комбинации сигналов

Формируемый знак

а о.»

Вход

5

-1 L.

Выход

0 .

0 1

Предельно допустимые эксплуатационные данные ICieinPI, К1в1ПР2. К1в1ПРЗ:

Напряжение источника питания. В:

К161ПРЗ в течение не более 5 мкс ...... -40

К16ШР1, К161ПР2 в течение не более 5 мс . . . -40

Напряжение коммутации выходных ключей. В:

К16ШРЗ в течение не более 5 мкс..... -70

К161ПР1, К16ШР2 в течение ие более 5 мс . . . -40

Напряжение:

ивх.............. -8,5...-24

ЦОвж.............. О... -3

Напряжение положительной полярности на входе; В 0,5

Напряжение источника питания, В...... -24... -30

Напряжение коммутации выходных ключей К161ПРЗ,В . 0... -60 Ток открытого ключа, мА:

К161ПР1, К161ПР2.......... 1

К16ШРЗ............. 2,5

Для К16ШР1 н К161ПР2:

длительность импульса разрешения записи, мкс, не

менее.............. 1

длительность среза импульса разрешения записи мс. период следования, импульсов разрешения записи, мкс, не

менее............... 1

не более............... 10

длительность входного сигнала, мкс, не менее ... 6

Примечание. Информация на входных выводах микросхем не должна «изменяться в течение времени перехода импульса разрешения 1 в О и не менее 5 мко после его окончания.

Допустимое значение электростатического потенциала для микросхем сернн K16I-200В.

Параметр	Значение	Режим измерения
ивх, мкА, не менее	-0,1	0 -на выходах 8, 13, 14; 9,45 В -на
		водах 15, 16
1вх (на выводе 15), мкА,		0 -на выводах 8, 13, 14; 9,45 В-	-на,
не более		выводах 16, 16
Iqot, мкА, не более		0 -на выводах 8, 13, 14; 9,45 -В-	-на.
		выводах 15, 16
Свых (на выводе 3 прн	0.3-	0-«а выводе 8; 1,2 В - на выводах
R=I50 кОм), В, не бо-		15; 9,45 В -на выводе 16; J~L *-
		выводе 14
ивых (на выводе 3 при		0 -на выводе 8; 1,2 В-на выводах	13..
R=I150 кОм), В,, не ме-		14; 7,3 В -на выводе 15; 8,55 В-	-на.
		выводе 16

* До начала измерений подать входной сигнал положительной полярности с напря--женнем низкого уровня О ... 0,3 В, верхнего уровня 9В±10%. длительностью фронта и среза, не более 15 мкс, частотой не более 1.7 МГц со скважностью 2.

Предельно допустимые эксплуатационные данные К17вИЕ8:

Мощность на корпус, мВт, не более..... 26

.Напряжение источика питания, В...... 3... 15

Напряжение на входах, В........ -0,2...-Ши.ц

Вытекающий ток на выходе, мА, не менее . .- . -0,5

Вытекающий ток на выходе, мА, не более ... 0,5 Нагрузочная способность,, не более:

на однотипные микросхемы...... 25

на логические микросхемы...... 50

К176ИЕ8

/5 15

Тр Т R

Р О 1 2

«

5 6 7 8 9

-То -Г X

о 11

Основные параметры микросхемы К176ИД2

-f-- Параиетр	Значение	Режим измерения
IBx (на выводе 1), мкА, не менее 1вх (на выводе 1), мкА, яе более InoT, мкА. не более	-0.1 0.1 100	0-на выводах 1, 8; 9,45 В - на выводах 2-7, 16 9,45 В-на выводах 1, 16; 0 - на выводах 2-8 9,45 В - выводах 1; 4, 16; 0 - на выводах 2-8

К176ИД2

S 10

Осн№ные параметры микросхем К176ИЕЗ, К17вИЕ4

Параметр

Режим измерения

1*вх, мкА,.не менее

1вх (на выводе 4), мкА, не более

InoT, мА, не 1более

ивых (на выводах 1-3), В, не более

ивых (на выводе 1), В, не менее

9,45 В - на выводе 14; О -на выводах 4-7

9,45 В - «а выводах 4, 14; О -на выводах 5-7

9,45 В - на выводах 5, 14; О - на выводах 4, 6. 7

R=S0O кОм -на выводах 1-3; 1,2 В - на выводах 4, 6; 7,3 Б -на выводе 5; 9,45 В - на выводе 14 R=500 кОм -на выводе I; 1,2 В -на выводе 4; 7,3 В - на выводах 5, 6; О - на выводе 7; 8,55 В - на выводе 14

К176И£:3

			Б f

10 -

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41