Главная Журналы К161ИД1 К1ШЕ2 rr Предельно допустимые эксплуатационные данные К161ИД1, К1в1ИД2: Напряженне источника питания. В: Ua.n,............... 11,3... 14 . ия.п2 ,.............-24,3...-30 Кратковременное напряженне источника питания в течение времени не более 5 мс, В: и„.ш -............. -20 . иип2 ;............. -40 Разность между напряжением источников питания I и 2, В ..............20 \ . Входное напряженне. В: XFbx..............-8,5...-14 UV, не менее............-3,5...-3 Напряженне положительной полярности на любом выводе по отношению, к общему выводу, В.......0,5 t V - " • . Таблица истинности микросхемы KI6IИД1 Выводы ынкросхемы Таблица истинности микросхемы К161ИЕ2
Импульсный вход, сигнал иа него подкется позже остальных входных сигналов. *• Импульсный выход. ••• Выход. Основный параметры микросхем К1в1ПР1, К161ПР2
Б) UA3n=-!) В. 7) --1.6+0.5 В. 8) и„ейст=0.5 В. 9) U„„ „„=-30 В. 10) 1„„=0.8 мА». И) Тв1»60 мкс. 12) Тдз„>1 мкс. 13) t-=10 ... 1000 кГц. 14) Q>5. Примечавие. И„„л - падение напряжения ла открытом ключе; изц - амплитуда напряжения импульса записи; 1„д - ток в цепи выходного ключа. Основные параметры микросхемы К!в1ПРЗ
• 1) "и.п--25 В. 2) и„,--30 В. 3) --8.5 В. 5) U",,--3 В. 6) > Ти.в1>6.6 мкс. 8) мкс. 9) f-lQO ... 1000 кГц. К161ПР1 Kwmpz
1± Разре- 7 шение - записи 2 6 запятая 6 16 Запятая 7? (точка) 15 10 Рааре-шениё записи - Зпт Таблица истинности микросхем К1в1ПР1, К1в1ПР2
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [ 38 ] 39 40 41 |