Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 [ 37 ] 38 39 40 41

Основные параметры микросхем К155РЕ21, К155РЕ22, К155РЕ23, К155РЕ24, К155РЕЗ

Параметр

слав, «255

и а.

Значение

Режим измерения

InoT, мА, не более ивыг, в, не более 1*вм», мкА, не более IV, мА, не более

Ibi, мкА, не более

t"3fl.p (по входам «Выборка адреса»), не, не более

*"зд.р (по входам «Выборка адреса»), НС, не более

1*эд.р (по входу «Разрешение выборки»), НС, не более

зд.р (по входу «Разрешение выборки»), НС, не более

130 0.4 100 -1

60-60 30 30

110 0,5 100 -1.6

50 50

ин.п=-5,25 в Uh,ii=-4.75 в Uh 1=4,75 в ия.п=5,25 в и„р.в=0.4 в ин.п=5,25 в Unp.B=2,4 в

Uh.i,=5 в •

ин.п=5 Б

и„.1,=5 В

ии.п=5 В

К155РС21 /adSPEZl, K155PEZ3 " , ;

3232



h M

K155PEZ4 1

K155PE3

WSfROH IL

P3 g4-

Выходной код слова микросхем К155РЕ21, К155РЕ22, KI55PE23

Выходной код слова на выходе

Режимы на входах и выходе микросхемы KI55PE24

Режим нз

Режим на входе

выходе

к«

до изменення

после изме-

ё§

состояния

нення состо-

яния (t„-H)

0

ri

ri

0 .

-i-r-

m e ч a и и e. X- любое "состояние;-одниочный импульс.



Основные параметры микросхем KieiKHl, К161КН2

Параметр

я г к

lyi.Bx, ,мкА. не более

1ут.вых, мкА,. не более

б, в, г

Лыж, В, не менее

б, в, г

InoT, мА, не более

* а) --25 В; б) U„ „=-30 В:

в) UV-3 В; г) иы,--60 В.

() 1

KISl/fHZ

предельнодопустимые эксплуатационные данные К161КН1, К1в1КН2:

Напряжение источника питаиня в течение времени не более 5 мкс, В............-40

Напряжение коммутации выходных ключей в течениэ вре-,

менн ие более 5 икс, В . . .........-70

Напряжение, В

ивж.............• . -8,5...-24

и»вж ..............0.„-3

Напряжение положительной полярности на входе, В . . -24 ... -30 Напряжение коммутации выходных- ключей, В . . . 0...-60

Ток открытого ключа (т 5 мкс), мА.....35

Суммарный ток открытых ключей, мА.......30

(Примечание. Информация на входных выводах не должна изменяться в течение времени перехода импульса разрешения 1 в О и не менее 5 мкс после его окончания.

Основные параметры • микросхем к1в1ИД1, , -

К1в1ИЕ2 "

с4 И

Параметр

Значение параметра

ивых, В, не менее идых, В, не более lyT.Bx, мкА, не более

InoT 1, мА, не более InoT 2, мА, не более fp, кГц. ие более

-3* -10*

0,01 200

-1,5** -10**

0,1 1.5

1.3 •

* и°вх--3.5 В; и-, ** и<в1--3,0. В; Ubx А-О В; Т„=50 мкс.

.=-9,5 В.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 [ 37 ] 38 39 40 41