|
| |
|
Главная Журналы (Предполагается, что источник напряжения U2 подключен к выходным зажимам схемы.) Применяя к этой же схеме уравнения Кирхгофа, можно получить еще две зависимости. 1) Отношение выходного тока ко входному в режиме короткого замыкания выходных зажимов транзистора (параметр /121) равно: --- (10) Поскольку а1, а Гб/Гк < 1, то, пренебрегая вторым слагаемым в числителе и знаменателе правой части равенства (10), получим: л21-а. (И) Поясним, что величина а в формулах (10) и (11) представляет собой коэффициент пропорциональности между током эмиттера h и током зависимого генератора /г= = alQ в схеме на рис. 4,а. Коэффициент а не следует смешивать с коэффициентом а («альфа»). Последний определяется формулой а=л2.. (12) Сравнивая (10) и (12), убеждаемся, что величины а и а, вообще говоря, отличаются друг от друга. Но эта разница настолько мала, что практически ее можно не учитывать. 2) Входное сопротивление схемы на рис. 4,а при замкнутых накоротко ее выходных зажимах (параметр /ill) определяется формулой /111 = Гэ+Гб(1-а). (13) Полученные формулы позволяют по известным величинам элементов Т-образной схемы с зависимым генератором тока (рис. 4,а) определить Л-параметры четырехполюсника, эквивалентного этой схеме. Если известны величины элементов эквивалентной схемы с зависимым генератором э. д. с. ЕЫ, то опре- деление /г-параметров можно осуществить по формулам (8-13), если предварительно вычислить параметр а: а = . (14) Пример 2. Значения величин элементов Т-образной эквивалентной схемы с генератором тока для транзистора типа П13 при /э = = \ ма W Uk,q=-5 в равны: Гэ=15 ом\ Гб=250 ом\ Гк = 1 Мом\ а=0,925. Определить /i-параметры четырехполюсника, эквивалентного транзистору, включенному по схеме с общей базой. Решение. Применяя формулы (13), (9), (11) и (8), соответственно находим: где а~а; /111б=Гэ + Гб-(1-а) = 15+250(1-0,925) =34 ом, Гб 250 = 77+7;Г" 250+1.10« =2,5.10-- /216 - Д = - 0,925; = г-гЬ;: 250 +\.10в Ь10- сим. О ТАБЛИЧНЫХ ЗНАЧЕНИЯХ ПАРАМЕТРОВ Упоминалось, что значения параметров транзистора, необходимые для расчета, могут быть либо найдены путем измерения, либо взяты из справочника. В справочниках принято указывать для каждого из малосигнальных параметров три значения: минимальное, типичное и максимальное. Казалось бы, при расчете вполне допустимо и логично ориентироваться на типичные значения параметров и подставлять их в соответствующие формулы. Однако, приняв для расчета приводимые в справочниках типичные значения параметров без предварительной проверки возможности их физической реализации, можно прийти к абсурдным результатам. Дело в том, что между четырьмя численными значениями параметров, характеризующих один и тот же транзистор, существуют вполне определенные соотношения, тогда как в справочниках даются усредненные значения параметров, которые в отдельных случаях мо-16 гут этим соотношениям не удовлетворять. Иными словами, рекомендуемые в качестве типичных, значения параметров иногда оказываются не совместимыми друг с другом. Проверку совместимости четырех параметров транзистора можно осуществить, вычислив по этим параметрам величины пассивных сопротивлений Т-образной эквивалентной схемы с одним зависимым генератором э. д. с. или тока. Известно, что все три сопротивления эквивалентной Т-образной схемы с одним зависимым генератором должны быть положительными. Это условие можно принять в качестве критерия совместимости выбранных величин четырех параметров. Выведем формулы для определения величин сопротивлений Т-образной схемы по известным Л-параметрам транзистора, включенного по схеме с общей базой. Разделив почленно правые и левые части равенств (9) и (8), получим: Решая (13) относительно Гэ, найдем: 8=11-Гб(1-а), (16) где величина а определяется формулой (12). Величину сопротивления Гк можно найти из (8): Пример 3. Определить, являются ли совместимыми «типичные» значения параметров транзистора П13, включенного по схеме с общей базой: /iii=28 ом; /ii2=10-3; /i2i=-0,94; /22=1 мксим. Параметры заданы для рабочей точки /э=1 ма, t/к б=-5 е. Решение. Определим величины сопротивлений и Гэ эквивалентной схемы по формулам (15) и (16): Гэ=Л, 1-Гб (1 -а) = 28- 103 (1 -0,94) = -32 ом, a=l/i2i 1=0,94. 0 1 2 3 [ 4 ] 5 6 7 8 9 10 11 12 |