Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [ 72 ] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90

с помощью полученных выражений (6.26) - (6.31) можно рассчитать УМ (двухтактный эмиттерный повторитель) на двух составных транзисторах.

Предположим, что верхнее плечо двухтактного УМ реализовано на двух п-р-п транзисторах (рис. 6.12,а), а его нижнее плечо -на двух р-п-р транзисторах (рис. 6.12,е). Принципиальная схема УМ на таких составных парах транзисторов показана на рис. 6.14.

Выход

-Е -о

Рис. 6.14. Принципиальная схема УМ на однотипных составных

транзисторах.

Верхнее плечо этого двухтактного УМ может быть реализовано в одной изолированной области, так как коллекторы п-р-п транзисторов имеют общую точку. Нижнее же его плечо, в котором имеется два р-п-р транзистора, невозможно реализовать в одной изолированной области. Выходной р-п-р транзистор, в котором выделяется больше тепла, лучше изготовить на подложке, а входной - с горизонтальной инжекцией носителей. Параметры р-п-р транзисторов, один из которых реализован по горизонтальной структуре, а второй на подложке, ниже чем параметры п-р-п транзисторов верхнего плеча. Конечно, в плечах такого двухтактного выходного каскада будет наблюдаться некоторая асимметрия, но зато реализация этой схемы УМ с помощью интегральной технологии не вызовет технических затруднений.

Для расчета параметров двухтактного УМ на составных транзисторах (рис. 6.14) можно пользоваться полученными выражениями (6.26) - (6.28). Как уже отмечалось, в паре с р-п-р транзистором непременно должен быть п-р-п транзистор с высокими параметрами. В этом случае параметры составного транзистора во многом будут определяться параметрами п-р-п транзистора. Учи-



тьшая это обстоятельство, рассмотрим УМ на составных транзисторах с разным типом проводимости (рис. 6.15). При расчете параметров такого УМ можно пользоваться выражениями (6.29) -(6.31). Однако в УМ (рис. 6.15) ни один из р-п-р транзисторов нельзя изготовить на подложке. В едином технологи-

Рис. 6.15. Принципиальная схема УМ иа составных транзисторах разного типа проводимости.

ческом цикле совместно с п-р-п транзисторами онимо- гут быть изготовлены только с горизонтальной структурой, а последние обладают не очень высокими параметрами, а главное, неспособны рассеивать значительную мощность. Поэтому при реализации УМ интегрального ОУ на составных транзисторах рациональнее в BepxriCM его плече применить схему, » изображенную на рис. 6.12,й,

а в нижнем плече - схему, изображенную на рис. 6.12,г. В этом случае будет только один входной р-п-р транзистор, который можно изготовить и с горизонтальной структурой. Параметры же нижнего плеча УМ будут определяться в основном параметрами п-р-п транзистора и асимметрия усилительных плеч УМ, как отмечалось выще, будет небольщой.

Бывают случаи, когда в составной схеме транзистора используется не два, а три транзистора. Понятно, что для трех транзисторов можно получить и большее число составных схем, но, как ранее условились, мы будем рассматривать только транзисторные реализации, не инвертирующие фазу усиливаемого сигнала (рис. 6.16). Для этих четырех схем эмиттерных повторителей на составных транзисторах, пренебрегая величинами h\2 и Лгг, с помощью графов определяем основные параметры каждого из плеч УМ:

/21э121э221эзн пэ1 + 21э21э221эз"

~ /221312132/213311 /?г + А„э1

(6.32) (6.33) (6.34)



Выражения (6.32) -(6.34) приближенные, но с их помощью разработчик может оперативно определить основные параметры любого плеча УМ, реализованного на трех транзисторах. Исходя из того, что параметры интегральных р-п-р транзисторов значительно уступают параметрам п-рП транзисторов, а аналитические выражения параметров эмиттерных повторителей на составных транзисторах (6.32) - (6.34) для всех четырех схем по-


Вход о-г-

"IJ Выходу

Вхов

ВьтЬ -э

6) ь-и

Рис. 6.16. Схемы йлеч двухтактного УМ на трех составных тран

зисторах.

а -верхнее плечо с одним р-п-р транзистором; б - верхнее плечо с двумя р-п-р 1ранзнсторами; в - нижнее плечо с двумя р-П-р транзисторами; г -нижнее плечо с одним р-п-р транзистором.

лучились одинаковые, нетрудно догадаться, чТО болей высокими будут параметры тех эмиттерных повторителей, в составе которых применяется меньше р-п-р траН» зисторов (рис. 6.16,а, г).

Руководствуясь этим простым критерием, можно оптимизировать схему УМ интегрального ОУ на составных транзисторах (рис. 6.17). Эта схема УМ принципиально мало отличается от УМ интегрального ОУ р,А741 (рис. 6.2). Если заменить составные транзисторы Тз, Т5 и Т? одним п-р-п транзистором, а транзисторы Т4, Tg и Те - другим р-п-р транзистором, то получим схему двухтактного УМ (см. рис. 6.2). В этой схеме на базу транзистора Ti подается напряжение сигнала, а на базу транзистора - напряжение смещения. Транзистор Тд 15-1215 225





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [ 72 ] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90