Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 [ 71 ] 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90

tepHofo тока транзйсторое (повысить к. п. д. й уменьшить нелинейные искажения), в двухтактную схему УМ (рис. б.Ю.е) добавляют два диода Дх н Дг, которые задают дополнительное напряжение смещения на базы транзисторов и улучшают режим работы последних. В результате подключения диодов получилась модифицированная схема УМ (рис. 6.10,г), которая обладает более высокими энергетическими параметрами по сравнению со схемой УМ на рис. 6.10,в [19].

Схема УМ (рис. 6.10,г) может быть реализована по интегральной технологии, хотя при ее реализации могут возникнуть определенные технологические трудности.



Рис. 6.12. Схемы плеч двухтактного УМ на двух составных транзисторах.

а - верхнее плечо иа п-р-п транзисторах; б - верхнее плечо иа п-р-п и р-п-р транзисторах; в - нижнее плечо на р-п-р транзисторах; г - нижнее плечо на п-р-п н р-п-р транзисторах.

связанные с изготовлением в одном технологическом цикле п-р-п и р-п-р транзисторов с одинаковыми параметрами. Дело в том, что до сих пор известные технологические процессы изготовления биполярных микросхем не могут одновременно создавать п-р-п и р-п-р транзисторы с одинаковыми или хотя бы близкими параметрами. В связи с этим составные схемы транзисторов, в которые входят п-р-п и р-п-р транзисторы, должны компоноваться из пар транзисторов таким образом, чтобы параметры составных транзисторов в основном определялись параметрами п-р-п транзисторов. В гл. 3 220



были пбЛуЧёны выражения Дли основных napaMfetpoE составного транзистора (3.69), и ими можно воспользоваться при реализации составных пар.

В табл. 3.1 приведено, сочетание пар составных транзисторов, но анализировать все сочетания транзисторов нет необходимости. Из всех пар составных транзисторов необходимо отобрать только такие, которые можно было бы использовать в эмиттерных повторителях. Поэтому проанализируем только те пары транзисторов, которые не инвертируют фазу усиливаемого сигнала и применяются в двухтактных эмиттерных повторителях (рис. 6.12). Разумеется, что анализировать все четыре

Т., /

, Выход


Рис. 6.13. Унисторные графы составных транзисторов.

а -для одинаковой проводимосги транзисторов; б- для разного типа проводимости транзисторов.

составные схемы также нет необходимости, так как две схемы (рис. 6.12,а, б) являются зеркальным отображением двух других (рис. 6.12,в, г).

Для пар составных транзисторов (рис. 6.12,а, г) построим соответственно унисторные графы (рис. 6.13,а, б) и с помощью последних по правилам, изложенным в гл. 1, определим параметры эмиттерных повторителей, которые затем составят плечи двухтактного УМ. Для составного транзистора (рис. 6.12,а) получаем основные параметры:

1 + /72131 + 2132 1

11Э1

Ч1Э2

(6.26)

(6.27) 221



"22Э2

2231

(6.2Й)

11Э2

11Э2

1+Й21Э2\

"ПЭ2

«11Э2 у 2131 + 1 , 22132 + 21эА132

1131

/1 +Д2

1132

1 11312231 12312131 » МЬЧЗЭ! V&2\3V ЛГ.=1 - /г,2Э1 +/22,3, 2 = I - Л,2Э2 +2132 + 2-

Для другого составного транзистора (рис. 6.12,г) получаем следующие выражения основных параметров:

--ЛЖ [(А.+ 123.) (l + )- /.231 (1 +/2.3,) .

(6.2Э)

/1 +Д, 2132 \

Y 1131 1132 у

(6.30)

. (6.31)

1 + 2132 2131 \

1132

1131

\1131

1132 )

J 1 + 2131 I

ч /г..-. /

2131

1131

1131

1132 у

1232

1232 \ / 1 +/2131 2132 А, 131 Л.

"1132

™1231

1131

1132

"1132

/2131 / + /2131 1 2132 \ h

/1+1232 yi + Д, А,

\ 1!31

\132

1131 у

1132 у

1132

1131





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 [ 71 ] 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90