Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 [ 67 ] 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90

Определяем входное сопротивление промежуточного каскада;

Рвх2 = Лцэ8 + с + hias) иээ = 3-10» + 51 -б-10= = 6,55-10 Ом;.

Определяем сопротивление нагрузки: (

/?н= (1/2234)111 (l/W Ii -0x2 = 5.10115-10« ,1 6,55.10; 5-10 т=

=i= 0,5 Мом.

Определяем коэффициент усиления:

hi3iR« 100

11Э1

2-2-10S

5.10= 125.

Определяем входное сопротивление ВК:

2„х=*=4/г,,з = 4.2-10 = 8-10 = 0,8 МОм.

Параметры ВК [хА741 получились:

a>40 дБ; Zbx=«1 МОм.

Схема В К с многоколлекторными транзисторами. На рис. 6.4 изображена схема ВК интегрального ОУ, в котором используются многоколлекторные р-п-р тран-

Смешение о---


БыхсЗ --о

г; 1

Рис. 6.4. Схема ВК с двухколлекторными р-п-р транзисторами и схемы компенсации входного тока.

а - схема ВК; 6 - схема компенсации входного тока на двух п-р-п и двух р-п-р транзисторах; в -схема компенсации входного тока иа двух п-р-п и двухколлекторном р-п-р транзисторах; г - схема компенсации входного тока на двух п-р-п и трех р-п-р транзисторах; б -схема компенсации входного тока иа двух п-р-п, одном р пр и двухколлекторном р-п-р транзисторах.



знсторы с горизонтальной инжекцией Носителей (рис. 3.1,е). Принципиальная схема этого ВК незначительно отличается от принципиальной схемы В К инте-\грального ОУ tiA741. Тот же каскодный ДК с п-р-п тран-"зисторами, включенными по схеме ОК, и двухколлектор-ные р-п-р транзисторы, включенные по схеме ОБ. Только через вторые коллекторы р-п-р транзисторов осуществляется ООС на базы транзисторов. Активная нагрузка реализована также на трех п-р-п транзисторах, но с той лишь разницей, что в эмиттерных цепях транзисторов вместо резисторов используется токоотвод. Поскольку при анализе малосигнальных параметров ВК параметры, источников тока и токоотводов не учитываются, то ранее полученные выражения (6.9) - (6.11) будут справедливыми и для этого ВК. В самом же ДК вместо источника тока используется токоотвод, а р-п-р транзисторы Tz п Ti с горизонтальной инжекцией носителей, имеющие по два коллектора, используются для компенсации входного тока.

Принцип действия такой компенсации можно пояснить на простой схеме (рис. 6.4,6), получившей название токовое «зеркало» (токовое отражение). При таком соединении п-р-п и р-п-р транзисторов можно увеличить эффективное значение h транзистора Ti за счет взаимной компенсации токов баз п-р-п и р-п-р транзисторов Ti и Ti. Для эффективной работы этой схемы требуется точное согласование транзисторных пар Ti-Т2 и Г3-Г4, что, как отмечалось в гл. 3, интегральная технология может обеспечить с достаточно высокой точностью. Если для всех транзисторов имеет место неравенство/igig Ь

то можно записать

/bx-/b.-V (6.14)

Решая совместно равенства (6.12) - (6.14) и производя некоторые преобразования, получаем

J 0 Л 21Э121ЭЗ\ (6 15)

14-1215 209



0+£

йз выражения (6.1S) следует, что эффективное зп&-j чение /г21э,;увеличилось, а значит входной ток каскада

уменьшился. При б/о-ном согласовании параметров транзисторов и условии /jgBi входной ток каскада уменьшается примерно на порядок.

Вероятно, нет необходимости в том, чтобы для токового «зеркала» применять два отдельных р-п-р транзистора, когда интегральная технология позволяет просто реализовать транзистор с несколькими коллекторами. Схема компенсации входного тока с одним р-п-р транзистором показана на рис. 6.4,е. В этой схеме токового «зеркала» используется два п-р-п транзистора и двух-коллекторный р-п-р транзистор. Принцип действия этой схемы такой же, как и схемы на рис. 6.4,6. Ток на входе ВК можно уменьшить, если улучшить токовое отражение (рис. 6.4,г). Здесь токовое отражение улучшено за счет трех р-п-р транзисторов. Подобная цепь рассматривалась на п-р-п транзисторах в гл. 4 и в [25]. Число р-п-р транзисторов в токовом «зеркале» можно уменьшить, если применять многоколлекторные р-п-р транзисторы (рис. 6.4,(5). Интегральные ОУ с В К, используюшие схемы компенсации (рис. 6.4,(5), позволяют получить входной ток порядка 3 нА.

Проведенный анализ входных токов в первом приближении можно использовать и для анализа токов малого сигнала. Исходя из этого можно говорить о том, что входное сопротивление ВК будет увеличиваться при использовании схем компенсации входных токов. Несмотря на то, что схемы компенсации входных токов уменьшают


Рис. 6.5. Принципиальная схема ВК МС1556.





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 [ 67 ] 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90