|
| |
|
Главная Журналы  7" /?я Рис. 4.6. Симметричный ДУ. а - принципиальная схема ДУ; б - половина схемы ДУ. нестабильности Se, Si, Su: (1+213) (%+2д) (4.41) (4.42) (4.43) где R = R + 2R,(l+h,,). Решая относительно тока базы уравнение (4.37) с учетом равенства (4.38) и (4.39), получаем , Ё 2/?д(1 + /г21э)/ко (4.44) Тогда нестабильность тока базы можно характеризовать следующими коэффициентами нестабильности: АЕ R 2/?д (1+2,3) Д/б 1 (4.45) (4.46) (4.47) Сравнивая коэффициенты нестабильности .коллекторного тока с соответствующим.и коэффициентами нестабильности тока базы, видим, что последние пример-130 но «а два порядка меньше ооответствуюших коэффициентов .нестабильности коллекторного тока. Чтобы определить нестабильность напряжения U запишем для коллекторной цепи (рис. 4.6,6) уравнение 2E = IR-\-U-\-2iR, (4.48) 1ИЗ которого с учетом равенств (4.38) и (4.39) определим напряжение коллектор-эмиттер: "Г 1 бэ "г , (1+/21э)(бк + Уд + 2 , -Г ко- (•) Тогда коэффициенты нестабильности можно записать в виде U кэ , 213K+(l+fe213)2a cm Е=-Ш-=--R- e-Uj /21Эк+(1+21з)2д ,гКЭ (1 + /213) (бк + 2/?кд + 2/?д/?б) .о, --- = При малом значении сопротивления в эмиттерной цепи транзистора ДУ (R->0) коэффициенты Si и Vi принимают наибольшие значения. При большом значении сопротивления резистора Rk напряжение коллектор-эмиттер будет сильно зависеть от обратного тока коллектора, поэтому при большом номинале Rk трудно обеспечить стабильную работу ДУ в широком диапазоне изменения температуры. Если в эмиттерной цепи транзистора ДУ имеется стабилизатор тока (Rproo), то самое большое значение будет иметь коэффициент нестабильности напряжения коллектор-эмиттер Vj, остальные коэффициенты нестабильности имеют минимальное значение. Из сказанного следует вывод, что дифференциальные каскады АПИМ необходимо выполнять с ИНТ. 9* 131 -1/1  Рис. 4.7. Сигнальный граф зависимости коэффициента передачи ДУ от режима питания. С помощью полученных коэффициентов нестабильности можно рассчитать изменение параметров ДУ при изменении режима его питания. На рис. 4.7 показан сигнальный граф, с по.мощью .которого, зная коэффициенты нестабильности коллекторного и базового токов и напряжения коллектор - эмиттер, можно определить влияние изменения напряжения питания на параметры ДУ. Для ДУ со стабилизатором тока в эмиттерной цепи (рис. 4.6,а) сопротивление в базовой цепи можно не учитывать, так как оно значительно меньше по величине динамичеокого сопротивления стабилизатора тока. Затем, применив теорему .деления [1, 25], по схеме (рис. 4.6,6) определим приближенно плечевой коэффициент передачи напряжения ДУ: (4.53) Из выражения (4.53) следует, что нестабильность основного параметра ДУ будет определяться нестабильностью входного сопротивления транзистора и нестабильностью сопротивления падллекторного резистора. Однако, как показывает практика, большое влияние на параметры ДУ оказывает изменение не напряжения питания, а окружающей температуры. Проанализируем температурную нестабильность ДУ, .для чего воспользуемся соответствующими температурными коэффициентами (температурные коэффициенты обратного тока коллектора 0, напряжения база - эмиттер ц, сопротивления а и т. д.), которые берутся из справочной литературы или определяются экопериментально. С помощью температурных коэффициентов устанавливается количественная причинно-Следсттввнная связь между дестабилизирующими факторами и параметрами, а также между отдельными параметрами. Установив причинно-следственные связи между отдельными параметрами и дестабилизирующим фактором, ло правилам, рассмотренным в гл. 1, строим сигнальный 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 |