Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 [ 33 ] 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90

Таблица 8.1. Схемы соединения транзисторов в составном транзисторе

Способ подключения

Эмиттер Tj к точке О

Коллектор Т, к точке О

База Т, к точке О

Эмиттер Тг

к точке О



Коллектор Тг

к точке О


База Тг

к точке О

h -ог



ОО


девяти схем соединения двух транзисторов в АПИМ пока находят применение три-четыре схемы. Во-персых, это два п-р-п транзистора, у которых коллекторы соединены Б одну точку. Такое соединение транзисторов часто применяется во входных дифференциальных каскадах и составных эмиттерных повторителях. Во-вторых, если первый п-р-п транзистор с вертикальной инжекцией носителей, а второй р-п-р транзистор, .реализованный на подложке, соединены так, что коллектор первого транзистора н эмиттер второго имеют общую точку, то получается составной транзистор с интересными параметрами. Такое сочетание двух транзисторов .разного типа проводимости находит применение в выходных двухтактных каскадах операционных усилителей и т. д. В-третьих, при согласовании усилительных каскадов в аналоговых микросхемах по постоянному току применяют составной транзистор, у которого первый транзистор является р-п-р транзистором с горизонтальной инжекцией носителей, а второй - п-р-п транзистор с вертикальной инжекцией носителей. В этом составном транзисторе эмиттер первого и коллектор второго транзисторов соединены в одну точку. 106



Чтобы количественно оценить, какие параметры можно получить у составного транзистора, рассмотрим первый случай, когда коллекторы первого и второго транзисторов соединены (рис. 3.16,а). Заменяя транзисторы эквивалентными схемами, в которых элементы представлены /г-параметрами, получаем эквивалентную

Г


Рис. 3.16. Составной п-р-п транзистор. а - принципиальная схема; б ~ эквивалентная схема.

схему составного транзистора (рис. 3.16,6). Для эквивалентной схемы (рис. 3.16,6) можно записать следующие уравнения:

А - Л +/г V, + (3 - Л)/г,, = 0;

(3.67)

fa(l+/.)f=f.-/..A-/i..f..

Исключая из уравнений (3.67) /j и U, получаем

h = {h\,h\, + h\,)I,-\h\,h\,~h"Jh\Ah\.+ (3-68)

Теперь можно легко установить количественные соотношения между /г-параметрами транзисторов и /г-параметрами составного транзистора:

/гп-„+/г,Л"„; /г.,=/г,.(1 + /г"„); \

h =h h" h h h" Jl-"(h u" \ ) (3.69)

"i2 «22« n, ris-n iih- --77 (« .2+« ,2).



где h - параметры составного транзистора; li\ h" - параметры первого н второго транзисторов.

Рассмотрим составную пару транзисторов, первым из которых является р-п-р транзистор с горизонтальной инжекцией носителей, а вторым -и-р-и транзистор с вертикальной инжекцией носителей (рис. З.П,а). Заменяя транзисторы эквивалентными схемами для /г-па-

О -о

Рис. 3.17. Составной р-п-р и и-р-и транзистор.

а -принцигиа.чьная схема; б - эквивалентная схема.

раметрОБ, получаем эквивалентную схему составного транзистора для /i-параметров (рис. 3.17,6).

Чтобы количественно оценить .влияние параметров комбинации пары транзисторов на параметры состав-яого транзистора, проанализируем еще одну составную пару (рис. 3.17,а). Заменив транзисторы их эквивалентными схемами для /г-параметров, получим эквивалентную схему составного транзистора (рис. 3.17,6) и запищем для нее уравнения

(3.70)

Исключая из уравнения (3.70) ток h и напряжение Us и пренебрегая величинами второго порядка малости, определяем основные параметры составного транзистора при таком соединении транз;истороБ:

(3.71)

Таким образом, входной параметр составного транзистора для этой комбинации пары транзисторов опре-ГО8





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 [ 33 ] 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90