Главная  Журналы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90

Фоторезист Фотош-аблои

y/z/z/z/tA /.

Полировна,

Окисление

У Л

Фотогро-вироВка, п +

Травление

Диффузия п-

Снятие окисла.

у /777Л 777/

Эпитаксия

/7 +

Окисление

у7\ w /7 a щ

Нанесение фоторезиста.

ФотограВироВка,

Травление

Изолируюш,а.я диффузия р

[ [Р п

\ 1

/7+ р

Окисление

Фотогравировка онна под Базовая диффузия базовую диффузию + p-t-

Окислени.е,разгонка, "+

Фотогравировка Диффузия.окисление

/7+ -

Напыление алюминия

Фотогравировка, Рис. 3.2. Последовательность операций планарной технологии.

ФотогравироВка. на. алюминии i




Диффузия П+-СДОЯ

Фотогра:8ировка-наиаВон

Травление канавок


\ иятие окисла.

Окисление

Наращивание поликрис-таллачесиого кремния


Сош-лифовиа. -i;

фотограваровка окна под базу


Базовая диффузия

Фотогравировка окна под Эмиттерная эмиттер диффузия


Фотогравировка- Напыление ФотограВировка

QKOH под контакты алюминия по алюминию

Рис. 3.3. Последовательность технологических операций с изоляцией элементов двуокисью кремния.



VZZZZZZZZZZZZZ22ZZZZ,

JZZZZ.

ПошроВка. Окисление

ФотогрсВироВка, Диффузия для окна, под скры- получения ir тый. слой. *

Снятие окисла.

Зпита.ксиа.льное Осаждение шт~ ФотогравироВка-нараиивание рида. кремния по нитриду и окисление кремния

/7 +

V /J VJ N

Травление канавок

Окисление Снятие нитрида. Термическое кремния окисление ir


ФотограВироВка. Коллекторная ФотогравироВка. Эмиттерная окна, под диффузия окна, под диффузия

коллектор эмиттер


Пиролитичес- ФотограВироВка. Напыление ФотогравироВка. кое окисление контактных окон алюминия по алюминии}

Рис. 3.4. Последовательность технологических операций при «изо-

планаре».

лпмдлч™" работу микросхемы, что заставляет разработчажав 31 47] "Р" диэлектрической изоляции элементов [5-.

На рис. 3.3 показана последовательность техиологичееких операции при создании активных элементов, которые изолируются друг от друга с помощью слоя двуокнси кремния. При изоляндаи пара-





0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [ 22 ] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90